SSD 可靠性：您的数据真的安全吗？
早在 2008 年，英特尔就向我们提出了有关其 Nehalem 架构的存储瓶颈的案例。我们在旧金山的 IDF 上，该公司正在推出其第一款固态硬盘，其代表站在舞台上，描述了传统硬盘驱动器降低 Core i7 处理器速度的方式。三年后，我们在基准测试中一遍又一遍地看到 SSD 是合法的性能提升器，相当显着地改变了计算体验。
话虽如此，性能并不是一切。就您的数据而言，如果您不能信任保存重要信息的设备，那么世界上所有的速度都将毫无意义。毕竟，当您阅读有关 Corsair 的 Force 3 召回、OCZ 的固件更新以防止 BSOD、Crucial 的链路电源管理问题以及英特尔的 SSD 320 在电源故障后失去容量时，所有这些都在两个月内，您必须承认我们正在处理的技术比机械存储要新得多（因此不那么成熟）。
随着从 3x nm NAND 迅速转向以 25 nm 制造的闪存，这个话题现在变得更加相关。我们已经与固态驱动器设计方面的一些非常聪明的人进行了交谈，并且主题是一致的。克服在 25 nm 制造的闪存带来的挑战比在 34 nm 制造时更难。但与上一代产品相比，今天的买家仍应期待更好的性能和可靠性。简而言之，使用较小几何形状创建的 NAND 单元固有的较少编程/擦除周期数仍然被夸大了。
P/E CyclesTotal Terabytes Written (JEDEC formula)Years until Write Exhaustion (10 GB/day, WA = 1.75) 25 nm, 80 GB SSD 25 nm, 160 GB SSD 34 nm, 80 GB SSD 34 nm, 160 GB SSD
3000
68.5 TBW
18.7 岁
3000
137.1 TBW
37.5 岁
5000
114.2 TBW
31.3 岁
5000
228.5 TBW
62.6岁
您不必担心 SSD 可以承受的 P/E 周期数。上一代面向消费者的 SSD 使用 3x nm MLC NAND，通常额定为 5000 个周期。换句话说，您可以在 NAND 单元开始失去保留数据的能力之前写入然后擦除数据 5000 次。在 80 GB 驱动器上，这转化为写入 114 TB，然后才可能开始体验写入耗尽的影响。考虑到普通桌面用户每天最多写入 10 GB，大约需要 31 年才能完全耗尽驱动器。使用 25 nm NAND，这个数字下降到 18 年。当然，我们过度简化了复杂的计算。写放大、压缩和垃圾收集等问题会影响这些估计。但总的来说，
显然，我们知道 SSD 仍然会出现故障。只需 10 分钟翻阅新蛋列表上的客户评论。但是写周期耗尽不是问题。有时固件是罪魁祸首。我们之所以知道这一点，是因为固件更新供应商问题专门针对已记录的问题。其他故障本质上是电子故障。电容器或内存 IC 可能会熄灭，并带走 SSD。当然，我们预计 SSD 的问题会比硬盘驱动器少，因为硬盘驱动器的移动部件总是会随着时间的推移而磨损。固态驱动器缺少移动部件是否会转化为更高的可靠性？SSD 上的数据是否比硬盘上的数据更安全？
随着这个问题在越来越多的爱好者和 IT 专业人士的脑海中浮现，我们着手调查 SSD 的可靠性并从虚构中整理出事实。
