Зачем возиться с низковольтной памятью DDR3?
Помните архитектуру Nehalem? Историческое принятие Intel контроллера памяти DDR3 на базе ЦП сопровождалось предупреждением о том, что напряжение выше 1,65 В может со временем вывести из строя интегральную схему, фактически убивая ЦП. В те дни Intel производила свои процессоры по 45-нанометровому техпроцессу и допускала разгон ядра при напряжении 1,45 В. В то время AMD продвигала гораздо более высокие уровни напряжения DDR3, но вся индустрия DRAM, ориентированная на производительность, в конечном итоге приняла ограничение Intel в 1,65 В.
С тех пор мы видели, как Intel уменьшила размеры двух кристаллов — 32-нм Sandy Bridge и Ivy Bridge на 22 нм — без официального заявления компании о том, что представляет собой безопасный разгон. Вместо того, чтобы комментировать параметры, которых вам безопаснее всего придерживаться, его представители склонны цитировать рекомендации по производству материнских плат 1,50 В плюс-минус 50 мВ. И мы думали, что эти документы были обнародованы специально, чтобы помочь нам выполнять пин-моды…
Если вас не беспокоит нежелание Intel обсуждать что-либо помимо производственных параметров, возможно, должно беспокоить скрытое перенапряжение, применяемое к материнским платам для энтузиастов. Маленьким грязным секретом индустрии во времена Nehalem было повышение напряжения по умолчанию на 5-10 мВ, необходимое для того, чтобы некоторые плохо запрограммированные (прим. ред.: Gold-серия) модули памяти могли загружаться. Об этом дополнительном напряжении не сообщалось на страницах мониторинга оборудования большинства BIOS материнских плат, и большинство приложений мониторинга также не сообщали об этом.
Ну, если немного хорошо, то еще лучше, не так ли?
В то время как Intel была занята сокращением ширины своих функциональных возможностей примерно вдвое, производители материнских плат стремились к рекордам разгона. Я наблюдал, как платы достигают все более высокого разгона памяти 1,65 В, когда скрытая настройка напряжения поднялась до 35 мВ. Рассматривая это как форму мошенничества в наших сравнениях материнских плат, я вытащил вольтметр и начал сообщать о настройке, необходимой для достижения фактических 1,65 вольт, на страницах прошивки наших обзоров материнских плат. И если говорить о поломке, недавняя череда неудач предполагает, что сочетание общепринятого стандарта 1,65 В и прозрачного перенапряжения от некоторых производителей материнских плат не всегда может быть безопасным. Хотя это, безусловно, была для нас необычной цепочкой событий, нам хватило, чтобы пересмотреть рекомендацию Intel на 1,55 В.
Номинальные характеристики Adata XPG DDR3L AXDU1600GC4G9-2G Crucial Ballistix Tactical BLT2K4G3D1608ET3LX0 Geil Evo Leggera GEL38GB1333C9DC G.Skill Sniper SR2 F3-12800CL9D-8GBSR2 Kingston HyperX KHX1600C9D3LK2/8GX Super Talent W160UA
Скорость передачи данных
Тайминги
Напряжение
Гарантия
DDR3-1600 (XMP)
9-9-9-24
1,35 В
Продолжительность жизни
DDR3-1600 (XMP)
8-8-8-24
1,35 В
Продолжительность жизни
DDR3-1333 (СПД)
9-9-9-24
1,50 В
Продолжительность жизни
DDR3-1600 (XMP)
9-9-9-24
1,25 В
Продолжительность жизни
DDR3-1600 (XMP)
9-9-9-27
1,35 В
Продолжительность жизни
DDR3-1600 (СПД)
11-11-11-28
1,35 В
Пять лет
Мы пригласили всех крупных производителей (в том числе популярных ODM) для участия в этом обзоре, и некоторые (в том числе этот ODM) решили не участвовать. Из тех, кто решил быть включенным, одному нечего было предложить с рейтингом DDR3L. Гейл отреагировал на заявленные нами тестовые настройки 1,35 В и 1,50 В сердечным «мы можем сделать это на стандартной оперативной памяти», и теперь у компании есть шанс доказать это.
