私たちの評決
老朽化した2Dテクノロジーのためのフラッシュの機能強化は、SamsungV-NANDと他のすべての間のギャップを埋めることができません。IMFTとフラッシュフォワードの3Dロールアウトまで、15nm / 16nm 2Dフラッシュを実行可能に保つために、コントローラーの開発に多額の資金が費やされています。企業がSamsungと競争し、SSDを販売したい場合は、別の何かが必要です。低コストのNVMeは、残っている唯一の未開発のフロンティアです。他のすべてはただ後退しています。
にとって
Adataのアクセサリパッケージは、今日の市場で最高のものに匹敵します。SX930は、新しくてエキサイティングな拡張MLC+フラッシュも使用しています。
に対して
MLC +は主に、Micronの3Dランプアップが始まる前に、Samsungの優れたフラッシュと競争するための手段にすぎません。SX930の価格は、ゲーマーやその他のターゲットユーザーグループにとって実際の選択肢となるほど競争力がありません。
序章
AdataのXPGSXファミリーは、同社の主力製品です。最近、パフォーマンスよりも耐久性を重視した新しいXPGSX930でラインナップを更新しました。
SSDベンダーが一流製品の焦点をスピードから耐久性に移したことを私が思い出すのはこれが初めてです。ほとんどのユーザーにとって、持久力は後付けです。与えられた数値はほとんどの場合無関係ですが、ほとんどの愛好家は大きなパフォーマンス結果を求めています。1桁の原子絶縁体に近いNANDインチを製造するために使用される技術として、耐久性はSSDのセールスポイントとして再び流行しています。
すべての表示は、2Dフラッシュリソグラフィーの最終ノードとして15/16nmを示しています。次のステップはスタックセルです。密度の増加は、同じ容量をより小さな領域に収めようとするのではなく、ダイあたりのより多くの層から生じます。収縮するたびに、摩耗しやすい絶縁体層が小さくなります。これにより、セルがビットを書き込むことができる回数が減り、ビットを長期間効果的に保持できます。NANDメーカーは、この問題に対処するためのいくつかの革新的な方法を開発しました。1つの方法は、セルの充電に使用される電圧を下げることです。これを行うには、充電を長時間適用する必要があるため、書き込みの待ち時間が長くなります。この方法をeMLCフラッシュと呼ぶことがよくあります。それは長い間存在しており、企業顧客向けのSSDで一般的に使用されています。
MLC +としてブランド化されたFlashは、シングルレベルセルモードでMLCダイのセクションに書き込みます。SLCは読み取りと書き込みが非常に簡単です。充電はオンまたはオフのいずれかです。これにより、精度がより重要なMLCまたはTLCと比較して、プログラムまたは読み取り操作が少しずさんなものになります。ランダム書き込み操作は、シーケンシャル操作よりも速くフラッシュを消耗します。ずさんなSLC領域は、ランダムな書き込みデータをキャッチし、シーケンシャル書き込みとしてMLC領域に渡します。SLC領域はデータを短期間だけ保持する必要があるため、保持は問題になりません。
昨年、SSDの耐久性に関するレポートをすべて読んだことがあり、書き込まれた合計バイト数（TBW）はメーカーの評価をはるかに超えています。これらの話のほとんどが考慮に入れていないのは、ドライブに電力が供給されなくなった後、情報が保持される期間です。SSDをオンにして常時使用すると、大量のデータが移動する可能性がありますが、ドライブがシャットダウンして数日後にデータが失われた場合、ドライブはどのように役立ちますか？適切な耐久性テストは、SSDが失敗する前にSSDに書き込むことができるバイト数だけではありません。ある時点で、データをゲートで確実に一時停止できる期間について考える必要があります。
MLC +を使用すると、耐久性は反対方向に機能します。キャッシュは情報を保持する必要はありません。ほんの少し触れただけです。シングルビットの読み取りと書き込みを行う場合、動作レイテンシは低くなります。奇妙に聞こえますが、これにより製品の全体的なパフォーマンスと耐久性が向上します。
