认识三星的以读取为中心的 845DC EVO SSD
有时名称不仅仅是一个名称，您可以从 845DC EVO 的型号中收集到很多信息。与美光的 M500DC 和英特尔的 SSD DC S3500 一样，DC 代表数据中心。通常，这意味着包含断电保护以及针对企业工作负载优化的固件。对于熟悉三星 SSD 的人来说，EVO 后缀清楚地表明了这款驱动器的构成。
在我们超越自己之前，三星的 840 EVO 于去年夏天发布，获得了许多好评。它通过一些创新技术提供了良好的性能，以高容量出货，并以合理的价格出售，这主要归功于其三层单元 NAND。当然，在过去的一年中，如果不解决固有的较低写入耐久性、较高延迟和可靠性问题，您甚至不能提及 TLC 闪存。那是面向消费者的SSD。现在我们让三星为企业市场推出基于 TLC 的驱动器？这是正确的。
当 TLC NAND 首次产品化时，大多数可能的早期采用者都担心它的写入耐久性。较低的市盈率周期评级吓坏了很多人，当谈到容量最低的模型时，其中一些担忧是成立的。问题在于，根据单个电池的耐用性来判断 SSD 的耐用性并不能说明全部情况。使情况更加复杂的是，大多数爱好者认为每单元 2 位 MLC 可用于 5000 到 10,000 个周期，这在三到四年前是正确的。但是今天的 20 nm MLC 接近 3000。
尽管较小制造节点的物理特性会削弱写入耐久性，但 SSD 供应商正在以不同的方式与之抗争。首先是简单地添加更多的 NAND。如果闪存价格的下降速度快于写入耐久性的下降速度，则更多的 NAND 可以通过更大的过度配置或更高的容量来帮助弥补。那时只是简单的数学运算，将写入分散到更多单元格中。其次，考虑控制器固件不断变化的状态。磨损均衡、垃圾收集和 TRIM 策略发生了巨大变化，使 SSD 供应商能够延长其驱动器的使用寿命。因此，我们在三星 840 EVO SSD 中得出结论：在 120、250、500 和 1000 GB 的测试中，TLC 对消费者来说是并且应该仍然是可行的技术。我们今天要确定的是它是否’
显然，三星对 TLC 的一些疑虑重重打击。这一次，该公司没有调用其内存 TLC。相反，845DC EVO 采用 19 nm Toggle 3 位 MLC NAND。听起来不是更好吗？三星通过将其最新的 SSD 瞄准读取最为突出的环境来避免写入耐久性问题。这类存储变得越来越拥挤；最近最引人注目的可能是英特尔的 SSD DC S3500。
三星 845DC EVO 用户容量接口 外形尺寸 顺序读取 顺序写入 4 KB 随机读取 4 KB 随机写入 功耗(Active Max) 耐用性 (TBW) 可靠性保证
240 GB
480 GB
960 GB
6 Gb/s SATA
2.5″ 7 毫米
530 MB/秒
270 MB/秒
410 MB/秒
87,000 IOPS
12,000 IOPS
14,000 IOPS
3.8 瓦
150 TB
300 TB
600 TB
2,000,000 小时 MTBF
5年
该驱动器的规格在面向读取的空间中与其他 SSD 具有竞争力。也许更有趣的是，我们被引导相信 845DC EVO 在几乎所有方面都击败了英特尔强大的 SSD DC S3500，包括耐用性（尽管有三级单元内存）。英特尔仅声称其 240 GB 型号的 140 TBW 和 480 GB 版本的 275 TBW。
在这一点上，最重要的规格缺失是定价。与许多以企业为中心的发布一样，即使我们联系了三星以获取更多信息，我们也无法告诉您 845DC EVO 的成本。因此，要衡量其价值将非常困难。但是，让我们把一切都放在眼里。当三星的 SM843、840 Pro 与企业调整面世时，它在其细分市场中的定价非常激进。实际上，该驱动器的售价略高于 840 Pro。如果公司保持这个增量，考虑到 840 EVO 在更大容量下的价格始终低于 0.50 美元/GB，845DC EVO 可能会成为绝对的抢手货。
