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三星 850 Pro SSD 评测:3D 垂直 NAND 冲击桌面存储

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    三星 850 Pro SSD:引入 V-NAND

    更新:三星将在本月晚些时候上市之前降低 850 Pro 的价格。虽然 128 GB 保持不变,但三个更大容量的售价将比三星最初的建议零售价低 30 美元。

    我喜欢三星的 840 EVO。尽管它在某些方面受到三层单元 NAND 的阻碍,但巧妙的特性和技术帮助推动了驱动器达到了不可能的伟大。虽然最初的 840 写入速度较慢,但​​ EVO 突破了模拟 SLC 类缓存,弥合了每单元 2 位和 3 位闪存之间相当大的性能差距。

    通过三星的 Magician 软件添加主机端缓存软件(最初来自 Nvelo),EVO 飞得更快。并不是说它需要太多帮助;EVO 的 TurboWrite 系统帮助推动了 840 的继任者成为一些相当优秀的公司。对于所谓的主流 SSD 来说还不错。一旦三星向我承诺,EVO 最终将通过固件更新实现与 Crucial 英睿达 M500 级加密功能相同的功能,我就打电话给它授予我有史以来第一个(也是唯一一个)Tom’s Hardware Smart Buy 的认可。是我个人机器用的SSD,也是我推荐给朋友的。

    这并不是说我是每单元 3 位闪存的忠实拥护者,因为它具有较低的耐用性、较高的延迟和容易出错的特性。但三星显然已经想出了如何在 EVO 的案例中减轻该技术的许多固有缺点。结合内部控制器、定制固件和公司自己的闪存被证明是一个强大的组合。事实上,在大多数桌面应用程序中,我承认 840 EVO 比 840 Pro 更喜欢 840 EVO,尤其是考虑到价格因素。旧的 Pro 对我没有多大作用。

    那么这将三星的新 850 Pro 放在存储层次中的什么位置呢?

    首先,它保留了公司的 MEX 控制器,也用于 840 EVO。它以 400 MHz 运行,提供了相当大的处理能力。与其他存储控制器一样,它采用了多个专门构建的执行核心。现代 SSD 发生了很多事情,因此我们看到内部的硬件变得越来越强大。较旧的 840 Pro 的芯片运行速度慢 100 MHz,并且不支持三星的最新功能。尽管如此,我相信驱动器的控制器硬件仍然相似。

    最显着的区别在于三星的新型 3D V-NAND,它代表了闪存设计和构造方式的根本变化。去年,在 2013 年闪存峰会上,我参加了三星半导体研发中心执行副总裁 ES Jung 博士的主题演讲。在拥挤的人群面前,他拉开了公司下一代闪存技术的帷幕。在像 FMS 这样的活动中演讲很少会引起轰动,但 V-NAND 承诺的进步具有广泛的影响,因此反应是可以理解的。

    简而言之,我们已经有一段时间听说 NAND 无法再进一步发展(正如我们听说摩尔定律已经走到尽头一样)。总会出现一些技术来帮助规避进步面前的限制。碰巧的是,随着特征尺寸的缩小,NAND 单元变得更容易出错。它们可以承受的编程/擦除周期数急剧下降,并且对平面阵列中的一个位置的操作可能会导致相邻单元的意外变化。

    V-NAND 看到 32 个单元垂直堆叠成圆柱形“棒”。平面 NAND 将相邻的单元排成一行,然后将多条线打包在一起以创建一个芯片,将 V-NAND 想象成一堆 Pringles 罐头。在两个罐子垂直连接的地方,你有一条字线。将每个柱状薯片堆连接在一起,就像电线杆一样,你就得到了位线。这样一来,它仍然是我们所知道的 NAND。但是将列堆叠得更高会减少平面 NAND 中遇到的单元间干扰。

    这就是三星旨在继续缩小功能尺寸的方式,尽管据称 V-NAND 也更快、更节能。它也有助于更好地利用封装不动产。建立而不是扩大,您可以将更多的东西挤进相同数量的地面空间。这就是壁橱上架的原因。这项技术已经酝酿多年,现在它是三星 850 Pro 的核心。

    这就是这款新 SSD 的真正意义所在。它采用与一堆 V-NAND 绑定的相同(经过验证的)400 MHz MEX 控制器。通过升级,850 Pro 应该更快地提供 I/O,同时使用更少的功率。它不应该比 840 Pro 快得多,但话又说回来,它仍然限于陈旧的 SATA 6Gb/s 和 AHCI 标准。所以,真的没有太多空间让它更快。我不想放弃太多的测试,但真正的进步涉及服务时间、质量和延迟。在这种情况下,规格表并不能说明全部情况。但是,它永远不会…

    三星 EVO 850 Pro (128 GB)

    三星 EVO 850 Pro (256 GB)

    三星 EVO 850 Pro (512 GB)

    规范告诉我们,队列深度为 1 的随机 4 KB IOPS 与 840 EVO 处于同一水平。这个数字几乎完全是 NAND 接口速度的函数,因此三星的 V-NAND 的运行性能水平似乎与 EVO 的每单元 3 位闪存相同。与 840 Pro 相比,这对于一个小颠簸来说已经足够了。 

    三星不愿提供有关其 NAND 的详细信息,因此很难对芯片数量等某些架构特性发表评论。无论如何,850 Pro 享有 10 年的保修期,这反映了 SanDisk 的最新发展。

    最后,三星声称 850 Pro 在 DevSlp 模式下的功耗低至 2 mW。我们有设备来验证这一点,我们将计算数字。根据规格,主动闲置在 0.4 W 范围内。考虑到这家公司最近的高效率历史,这两个数字都让我感到惊讶。

    下一步:打开这些东西,看看它们里面的样子。我喜欢这部分。

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