我们的判决
SSD 750 Evo 拥有 10,000 次随机读取 IOPS（队列深度为 1），可提供出色的用户体验。真的没有理由去别处寻找。三星的产品现在可以从下一个定价层提供性能，使其成为每个细分市场中的最佳价值。750 Evo 采用了在其他价位上运行良好的相同配方。爱好者以无可否认的诱人价格获得卓越的性能。
为了
低成本 • 大多数工作负载的高性能
反对
仅提供两种容量 • 由于目标市场，可能不会出现在实体店中 • 耐久性等级低（按照三星的标准） • 可与超值 SSD 市场中的其他产品相媲美
规格、定价、保修和配件
三星决定将其低成本 SSD 750 EVO 在亚洲出货数月后带到美国。该驱动器采用平面 (2D) 每单元 3 位 NAND，如 840 EVO，但其控制器升级为 850 系列中的低密度奇偶校验 (LDPC) 纠错技术。
三星的 840 EVO 大张旗鼓地到来并引起了极大的兴奋，成为有史以来最畅销的 SSD。然而，随着时间的推移，问题出现了。客户发现驱动器上的旧数据读回速度比新数据慢得多。三星通过两次固件升级进行了回击，从那时起我们就没有听到太多这个问题。
虽然从未正式提及，但我们怀疑根本问题与 840 EVO 的纠错引擎有关。三星最近告诉我们，840 EVO 使用了 BCH ECC 技术，类似于许多其他带有 MLC 闪存的 SSD。具有 TLC NAND 的较新驱动器采用称为 LDPC（低密度奇偶校验）的技术，这是一种更强大的纠错形式，它使用硬件和软件检查来恢复位错误。
新的 SSD 750 EVO 使用了 850 EVO 的控制器，配备了更先进的 LDPC ECC 引擎。SSD 两个月前在日本和其他亚洲市场推出。我们假设 750 EVO 是三星在过渡到 48 层 3D 闪存之前消耗大量平面 (2D) NAND 的方式。该公司最近表示，平面闪存仍有未来，不会很快从其阵容中消失。三星的 2D NAND 采用 16nm 光刻技术制造，我们听说有传言称正在开发 14nm 节点。
750 EVO 还在与 MGX 控制器相同的封装中填充了一个 256MB DDR3 内存模块，这将减少处理器与其 DRAM 缓冲区之间的延迟。这是我们第一次看到三星 SSD 的先进设计。
规格
三星 750 EVO (250GB)
三星 750 EVO (120GB)
SSD 750 EVO 仅提供两种容量：120 和 250GB。配备重新设计的 MGX 控制器、256MB DDR3 和 TLC 闪存，它适合 SSD 市场中成本最低的部分。起初我们被缺乏可见的 DRAM 所困扰，特别是因为三星的控制器封装大小相似。当然，集成缓冲器代表着降低成本的一步。
三星的 SSD 750 EVO 声称有一些令人印象深刻的性能数据。其顺序读取性能峰值为 540 MB/s。两种容量的峰值也是 520 MB/s 的顺序缓冲写入。再一次，三星设法以最小的并行度挤出 10,000 次随机读取 IOPS。这是由于四平面设计使控制器和闪存之间的可用带宽增加了一倍。
我们被告知 750 EVO 面向系统制造商，并将允许集成商将 SSD 添加到低成本笔记本电脑和台式机中。它的性能规格与该公司的零售 SSD 相似，但耐用性要低得多。相比之下，120GB 750 EVO 的额定写入量为 35 TB。相同容量的 850 EVO 具有 75 TBW 规格。当您升级到 250GB（70 TBW 与 150 TBW）时，差距会增加。
您确实获得了对 AES-256 全盘加密的支持，从而启用了 TCG Opal v.2.0。这些驱动器还可以与 Microsoft 的 BitLocker 功能配合使用。
定价、保修和配件
120GB 型号的建议零售价为 54.99 美元，250GB 容量型号的建议零售价为 74.99 美元。我们希望看到在 Origin PC、CyberPower 和 AVA Direct 等二级系统制造商中更普遍地使用 SSD。这些公司中的大多数将直接处理保修索赔，但三星确实以 TBW 等级为上限的三年保修支持驱动器。
我们的测试样品被泡沫包装包围。起初，我们认为三星会像 SM951 系列一样将其作为白盒版本。后来我们得知 750 EVO 将采用包含文档的零售包装发货。
750 EVO 确实支持三星的 Magician 软件。此外，该系列支持公司的Rapid Mode技术，该技术利用DRAM作为读写缓存。三星的数据迁移工具也是兼容的，不过这两个软件包都不包含在内，需要下载。
仔细观察
据三星称，750 EVO 将采用类似于 850 EVO 和 850 Pro 型号的完整零售包装盒发货。乍看之下，750 EVO 看起来就像一个标准的 2.5 英寸 SSD，具有 7 毫米的纤薄 z 高度。这与公司在其他产品（如 850 EVO）上使用的底盘相同。
在内部，我们发现一个非常小的 PCB，其中包含一些组件。图像显示了 250GB 型号，板的两侧都有闪存。再次，丢失的 DRAM 让我们措手不及。三星在一周前的电话会议中没有谈论其整合工作。但是通过将 DDR3 拉到控制器的封装上，应该可以减少两个组件之间的延迟。不过，三星并不是在谈论 DRAM 时钟频率或时序。
120GB 型号失去了 PCB 背面的 NAND 封装。这是一种成本极低的设计，开销也很低。
