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英特尔 SSD 520 评测:用 SandForce 夺回高端市场

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    英特尔的 SSD 520:SandForce 的发烧友存储?

    许多使用 SandForce 的控制器硬件组装 SSD 的供应商在前世都在兜售系统内存。从本质上讲,他们挑战极限。您还如何区分其他行人 DRAM 产品?现在,同样的方法也延续到了存储空间。每个人都在尝试使用类似的工具集来尽可能提高性能。这意味着类似的控制器逻辑、几个不同的固件版本以及 NAND 闪存接口中的少数选择(其中包含一些质量可变性)。

    但是有这样一种看法,即使用 SandForce 技术的制造商同时试图提高性能,同时尽可能降低成本,以便在层次结构中建立主导地位。有时,当这种情况发生时,事情就会破裂。因此,我们发现少数 SSD 产品存在问题。问题通常会很快得到解决,但是当您处理个人数据时,确实没有出错的余地。这就是为什么许多企业最终会首先购买他们信任的存储技术,而不是追求性能规格。

    这将我们带到了英特尔。在可靠性方面,至少在我们的实验室和与读者的对话中,英特尔和三星拥有我们所见过的两项最佳记录。三星拥有自己的现代 6 Gb/s 控制器硬件,这让它可以在我们的排行榜上与 SandForce 和 Marvell 的佼佼者竞争。然而,英特尔没有。

    因此,重要的是,英特尔的新 SSD 520 是最新的产品,它以我们一直在写的相同 SandForce 技术为中心……哇,OCZ 推出 Vertex 3 Pro 已经一年了吗?

    考虑到使用相同基础的竞争驱动器的数量,很容易将 SSD 520 写成基于熟悉组件的另一种变体。但请记住,这是英特尔。该公司对其可靠性故事持坚定的态度,我们不得不想象它不会将模仿产品推向市场,除非它知道它可以继续宣传同样的信息。这会是第一款真正验证 SandForce 作为快速可靠存储硬件供应商的固态硬盘吗?当然,如果是这样的话,SandForce 将无法承担所有功劳。请记住,英特尔可以使用其与美光科技的合资企业 IMFT 制造的最好的闪存。因此,它的驱动器天生就具有众所周知的捡垃圾功能,有助于提高耐力等级。

    因此,我们今天面临的固态硬盘略有不同。这是一个 SandForce 驱动的引擎,由英特尔近乎疯狂地强调数据保护推动。对于关心这两种品质的爱好者来说,这是一个令人兴奋的提议(真的,谁不关心呢?)。

    不过,我们还没有准备好将辛苦赚来的钱和不可替代的大学论文盲目地交给 SSD 520。我们想知道英特尔在做什么不同,以及该公司如何规避使用同一平台的其他 SSD 供应商遇到的一些问题。

    认识英特尔的 SSD 520

    作为英特尔决定使用 SandForce 的 SF-2281 控制器的直接结果,SSD 520 与采用相同逻辑的竞争驱动器固有地共享更多硬件,而不是其当前的任何产品。 

    因此,毫不奇怪,我们正在处理一个八通道架构,该架构由在 IMFT 现有的 25 nm 节点上制造的符合 ONFi 2.2 的 NAND 填充。虽然合作伙伴关系已经宣布 64 Gb 密度蚀刻在 20 纳米,但我们必须耐心等待,才能让内存开始进入 SSD。

    英特尔推出的最后一款以性能为导向的驱动器是 SSD 510。围绕 Marvell 的 88SS9174 控制器和 34 nm 内存构建,该公司拥有 120 GB 和 250 GB 的容量。它使 SSD 520 具有更广泛的容量范围,包括 60、120、180、240 和 480 GB。与市面上的任何其他 SSD 产品一样,预计性能会根据您购买的驱动器的大小在一定程度上扩展。

    那么,在任何给定的容量点,您都可以预期英特尔 SSD 520 的峰值性能数字与基于 SandForce 的竞争产品非常接近。例如,OCZ 将其 240 GB Vertex 3 的顺序读取和写入速度分别定为 550 和 520 MB/s。英特尔拥有相同的数据。OCZ 将 4 KB 随机读取和写入固定在 60 000 和 85 000 IOPS(再次分别)。英特尔紧随其后,声称 50 000 和 80 000 IOPS。

    当然,这些 I/O 规格更低。但它们也代表了我们过去从英特尔看到的任何东西的巨大飞跃。该公司声称其固件实施完全是自己的,这可能是纸面上的劣势。不过,鉴于已经具有侵略性的规格,我们可能最好奇的是,为什么英特尔发现有必要努力定制控制器的软件,以及它在后台可能发生的其他变化。

    用户可访问空间:120 GB 的差异

    User Accessible SpaceRaw NANDIDEMARAISEEffective OPUser Accessible Space OCZ Vertex 3 60 GBIntel SSD 520 60 GB Crucial m4 64 GBSamsung 830 64 GB OCZ Vertex 3 120 GB Intel SSD 520 120 GB Crucial m4 128 GBSamsung 830 128 GB OCZ Vertex 3 240 GBIntel SSD 5020 m4 256 GB三星830 256 GB

    64 GB
    60 GB
    0 GB
    4GB
    55.9 GiB

    64 GB
    64 GB


    59.63 GiB

    128 GB
    120 GB
    8 GB
    0 GB
    111.79 GiB

    128 GB
    120 GB
    0 GB
    8 GB
    111.79 GiB

    128 GB
    128 GB


    119.24 GiB

    256 GB
    240 GB
    8 GB
    8 GB
    223.57 GiB

    256 GB
    256 GB


    238.47 GiB

    去年,随着公司从相同型号名称中的 3x 到 2x nm 闪存转换,发现某些 Vertex 2 驱动器的可用容量减少,用户可访问空间成为热门话题。我们在 The OCZ Vertex 2 Conspiracy: Lost Space, Lost Speed? 中讨论了这一点。

    SSD 520 并没有偏离我们现在认为的基于 SandForce 的驱动器的标准。整个 SSD 520 系列采用 7% 的过度配置。因此,例如,虽然 60 GB 型号包括 64 GB 的原始 NAND,但它被宣传为 60 GB 驱动器,Windows 报告说有 55.9 GB 可用(由于从十进制单位转换为二进制单位)。相比之下,Crucial 和三星的产品没有专门为过度配置预留任何 NAND,因此它们可以声称拥有 64 GB 的容量,即使在 Windows 中转换为 59.6 GB 也是如此。

    还需要考虑 SandForce 的 RAISE(独立硅元件冗余阵列)技术,因为这是英特尔 SSD 产品组合中的一项新功能。RAISE 负责帮助防止 ECC 无法防止的不可纠正错误,并使其需要英特尔预留一个 NAND 闪存芯片的容量。在由 8 GB 芯片组成的 60 GB SSD 上,要放弃的空间很大。因此,大多数供应商不会在这些较小的型号上启用该功能。从我们看到的情况来看,RAISE 几乎普遍用于 240 GB 和更大的容量。一些制造商将其用于 120 GB 产品。

    在上面的屏幕截图中,Windows 7 报告英特尔的 120 GB SSD 520 和 OCZ 的 120 GB Vertex 3 都具有 111.79 GiB。然而,它们之间还是有区别的。通过在 120 GB Vertex 3 上启用 RAISE,OCZ 为该功能留出了 8 GB 的空间,没有为过度配置留下任何东西。相比之下,英特尔在其 120 GB SSD 520 上禁用了 RAISE,消除了冗余空间,但赋予了它与过度配置相关的好处。

    英特尔的 60 和 120 GB SSD 520 不能从 RAISE 中受益,这是一个问题吗?据该公司称,没有。SandForce 设计的 RAISE 允许 SSD 供应商使用质量较低的 NAND 芯片及其更高级的控制器,而不会牺牲寿命。但由于英特尔为其 SSD 520 系列配备了顶级闪存,因此对耐用性的任何担忧都被淡化了。

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