我们的判决
英特尔的 DC P3520 降低了企业 NVMe SSD 的定价标准。有限的容量可能会劝阻一些有高容量需求的人，但增强的耐用性、更低的功耗、足够好的性能和优惠的价格将进一步推动企业级 SSD 的商品化。
为了
优惠的价格
良好的轻量工作负载性能
增加耐力
低功耗
反对
2TB容量限制
英特尔将其 3D MLC NAND 引入数据中心
英特尔设计了新的 DC P3520，以将 NVMe 和 3D NAND 的优势加速到更广泛的以读取为中心的数据中心应用中，并具有极具竞争力的价格点。英特尔的 DC P3520 系列将尖端 NVMe 技术的价格降至每 GB 0.55 美元左右，与企业级 SATA SSD 相差无几。
企业级 SSD 的早期是乏味且昂贵的时期。制造商为每个新的 SSD 开发了自己的定制驱动程序和软件，这增加了成本并延长了认证周期。对于 OEM 和最终用户来说，互操作性雷区是一段危险的旅程，因此业界欢迎标准化的 NVMe 接口并张开双臂。NVMe 以其出色的性能而广为人知，但它的接口也为我们带来了商品 SSD 的前景。现在，即使是超大规模数据中心也可以相对轻松地创建自己的 SSD。
NVMe 有助于降低成本并促进采用，但昂贵的 NAND 阻碍了该行业的发展。随着每一次新的平面光刻缩小，定价图变得更加明亮，但更密集和更便宜的 2D NAND 带来了耐久性和性能降低的不良副作用。3D NAND一举绕过了价格、耐用性、功耗和性能四大壁垒。三星在 3D NAND 竞赛中处于领先地位，并享有数年的独家优势，但现在 IMFT（英特尔/美光）的 3D NAND 正在大举进军数据中心。日益激烈的竞争可能是开启类似商品市场的真正承诺的关键。
在许多方面，DC P3520 只是英特尔古老的 DC P3x00 系列的重新设计，具有更新的 NAND 和更高的耐用性，但与当前提供超耐用 SSD 作为领先工具的趋势不同，英特尔选择开始其 3D 之旅低续航产品。该策略是有道理的，因为随着价格持续暴跌，数据中心运营商正在将 SSD 用于主流工作负载，因此容量播放位于耐力图腾柱的低端。
英特尔在其上一代 P3x00 PCIe 和 DC Sx00 SATA 系列中采用了其 20nm HET MLC，但随着 NAND 的进步，许多其他供应商仍在开发基于 15nm 和 16nm 平面 NAND 的产品。例如，美光也受益于 IMFT（英特尔/美光闪存技术）合作伙伴关系，并拥有自己的 3D NAND 供应，但它选择将其平面 16nm 与 9100 系列 SSD 结合使用。
奇怪的是，英特尔选择放弃最新的平面 NAND 代，转而支持即将推出的 IMFT 3D NAND。新的 32 层 IMFT 3D NAND 已以 TLC 形式发货，供客户使用，但 DC P3520 标志着 MLC 变体的首次亮相，它比价值优化的 TLC NAND 带来了更多的耐用性。英特尔还使用其 3D MLC NAND 更新了其企业级 SATA SSD，以及大量的消费级 SSD。
IMFT 3D NAND带来了更高密度的好处；它提供每个裸片 256Gb (32GB) 的容量，是上一代 128Gbit 20nm NAND 密度的两倍。增加的密度降低了成本，也带来了更高容量 SSD 的可能性，但这给英特尔带来了一个有趣的难题。SSD 控制器，特别是对于高性能应用程序，需要大量的 DRAM 来管理底层的 NAND 池。SSD 控制器通常每 GB NAND 需要 1MB DRAM，但英特尔专有的 18 通道 SSD 控制器最多只能管理 2.5GB DRAM。Intel 以 ECC 方式分配 DRAM，因此控制器只能访问 2GB 的 DRAM，因此整体容量限制为 2TB。
英特尔选择在其现有的 P 系列平台上进取，而不是等待更先进的控制器。P系列平台最初出现在2014年，成熟的平台在很大程度上归功于在数据中心迎来了NVMe时代。英特尔的 P 系列非常注重性能一致性，这对现实世界的应用程序性能大有裨益。DC P3520 作为英特尔准备其下一代 NVMe 平台的权宜之计，但降低的成本将使该公司在其激增的竞争对手面前更具竞争力。
规格
英特尔 DC P3520 450GB
英特尔 DC P3520 1.2TB
英特尔 DC P3520 2TB
DC P3520 系列仅提供三种容量（450GB、1.2 和 2TB），这与英特尔提供令人眼花缭乱的容量点范围的倾向背道而驰。所有三种容量均采用 AIC（附加卡）和 2.5″ U.2 外形尺寸，推荐的气流是这两种外形尺寸之间的唯一区别特征。两种外形尺寸均采用 NVMe 1.0 协议并通过 PCIe 3.0 进行通信x4 连接，但 U.2 型号使用古老的 SFF-8687 连接器。英特尔最初计划部署高耐用性 DC P3320 变体，但由于未知原因取消了该产品。
密度可能是一把双刃剑；它降低了价格，但也会损害性能。英特尔的新 3D NAND 比它在 DC P3500 上使用的 20nm 平面 NAND 更密集，因此它需要更少的芯片来达到相同的 2TB 容量。SSD 在并行性上蓬勃发展，而芯片数量的减少导致随机性能规格降低。
与上一代 DC P3500 相比，P3520 在性能方面实际上退了一步，后者的读/写 IOPS 高达 430,000/28,000。DC P3520 提供高达 375,000/26,000 随机读/写 IOPS，但性能随容量而异。DC P3520 的顺序读/写吞吐量也回落到 1,700/1,350 MB/s，远低于上一代低耐用模型的 2,700/1,800 读/写吞吐量。
除了更高的密度和更低的成本外，3D NAND 还由于其更大的单元光刻技术而提供了更多的耐用性。英特尔和美光没有透露实际的节点尺寸，但大多数理论认为它在 ~3Xnm 范围内。增加的耐用性使 DC P3520 具有高达 2,490 TB 的耐用性，是 DC P3500 的 1,095 TB 的两倍多。英特尔的 DC P35290 具有 12W 的活动功耗和 4W 的空闲功耗，与 DC P3500 的 25W 活动功耗相比显着降低。
三星和英特尔是最大的两家企业级 SSD 供应商，两者之间的竞争一直很激烈。去年，三星在数据中心领域稳步发展，现在声称在利润丰厚的市场中占有最大份额。三星的大部分成功都归功于其 3D NAND 优势，但英特尔终于用自己的 3D NAND 产品进行了反击。英特尔宣布了新的 DC P3520 和一系列新的双端口 NVMe DC D3700 和 D3600 SSD，这将有助于它在全闪存阵列领域重新站稳脚跟。它还具有低耐用性 DC P3320 NVMe 产品，以非常低的价格解决 SATA 细分市场。三星还拥有强大的 3D 驱动 SATA SSD 系列，非常受欢迎，但英特尔的新 DC S3520 和 S3510 应该有助于止血。
三星也在进军 SAS 市场，但在 WD/HGST 收购了闪迪之后，英特尔的立场有些不明朗。过去，英特尔和 HGST 建立了合作伙伴关系，产生了几款成功的 SAS 产品，但随着 HGST 不可避免地过渡到闪迪闪存，看来这种关系可能会以一种不愉快的方式结束。英特尔/美光正在等待 3D XPoint，但三星对其新发布的 Z-NAND 产品有自己的计划。
存储世界发展迅速，但如今，闪存已成为主流。让我们看看英特尔最新的主力如何叠加起来。
