คำตัดสินของเรา
2TB 980 Pro ของ Samsung มอบประสิทธิภาพที่รวดเร็วที่สุดเท่าที่เราเคยเห็นจาก Gen4 SSD แม้ว่าจะมีราคาแพง แต่ 980 Pro ของ Samsung เป็นตัวเลือกที่ดีสำหรับผู้ที่กำลังมองหา SSD ที่ดีที่สุดตัวหนึ่งที่คุณสามารถรับมือได้
สำหรับ
ประสิทธิภาพ PCIe Gen4 ที่ตอบสนอง
ความเร็วในการเขียนอย่างต่อเนื่อง
การเข้ารหัส AES 256 บิตบนฮาร์ดแวร์
สวยงามตามท้องเรื่อง
แพคเกจซอฟต์แวร์
รับประกัน 5 ปี
ขัดต่อ
คะแนนความอดทนเฉลี่ย
ราคาแพง
แคช TurboWrite SLC ไม่ใหญ่เท่ากับคู่แข่ง
ไม่มีตัวเลือก 4TB
อัปเดต 2/17/2021: เราได้อัปเดตบทความนี้พร้อมการทดสอบใหม่สำหรับ 2TB Samsung 980 Pro M.2 NVMe SSD ในหน้า 4
บทวิจารณ์ดั้งเดิมเผยแพร่เมื่อ 9/22/2020:
980 Pro ของ Samsung ถูกกำหนดให้กำหนดกลุ่มผลิตภัณฑ์ของบริษัทใหม่ และอาจเป็นตลาดที่มีประสิทธิภาพสูงทั้งหมด ด้วยการผสมผสานระหว่างอินเทอร์เฟซ PCIe 4.0 ที่รวดเร็วซึ่งจับคู่กับคอนโทรลเลอร์และแฟลชใหม่ ซึ่งทั้งหมดนี้ให้ประสิทธิภาพที่โหดเหี้ยมในการใช้งานหลายประเภท . ไม่น่าแปลกใจเลยที่ความเร็วพิกัดของไดรฟ์คือ 7/5 GBps ของปริมาณงานการอ่าน/เขียนตามลำดับและ 1 ล้าน IOP
เป็นครั้งแรกที่ SSD รุ่นเรือธงของบริษัท Pro series ไม่ได้มาพร้อมกับแฟลช MLC แบบ 2 บิต แต่ 980 Pro ใช้แฟลช TLC แบบ 3 บิตล่าสุดของ Samsung เพื่อลดต้นทุน ทำให้เป็นวิวัฒนาการระดับไฮเอนด์ของซีรีส์ 970 Evo Plus ที่ประหยัดกว่า แต่ด้วยคอนโทรลเลอร์ NVMe PCIe 4.0 x4 NVMe ที่ทนทานมาก 980 Pro ยังคงให้ประสิทธิภาพและตอบสนองได้ดี ควบคู่ไปกับความปลอดภัย AES 256 บิตสำหรับทั้งเกมเมอร์และมือโปร
นอกเหนือจากความเร็วในการเขียนแบบยั่งยืนที่ช้ากว่า 970 Pro รุ่นก่อนแล้ว 980 Pro ของ Samsung ยังเป็น SSD แบบแฟลชที่เร็วที่สุดที่เราเคยใช้มา 980 Pro พิสูจน์ให้เห็นว่าแม้ว่า Samsung จะไม่ใช้แฟลช MLC แบบ 2 บิตในการออกแบบอีกต่อไป แต่ TLC แบบ 3 บิตแบบเลเยอร์ 1xx เลเยอร์ใหม่ล่าสุดของ V6 V-NAND จะขยายไปสู่อีกระดับและนำประสิทธิภาพที่น่าประทับใจมาสู่ตาราง
980 Pro ของ Samsung คือ SSD ที่คุณจะได้ซื้อหากคุณกำลังสร้างเครื่องเล่นเกมหรืออุปกรณ์ทำงานระดับไฮเอนด์โดยคำนึงถึงประสิทธิภาพที่ล้ำหน้า 980 Pro ไม่ได้แพงไปกว่า SSD ที่ใช้ Phison E16 เช่น FireCuda 520 ของ Seagate หรือ Rocket NVMe 4.0 ของ Sabrent ทำให้สามารถแข่งขันกับไดรฟ์ระดับ Prosumer อื่นๆ เมื่อชำระเงินได้อย่างน่าประหลาดใจ
ข้อมูลจำเพาะ
Product980 PRO 250GB980 PRO 500GB980 PRO 1TB980 PRO 2TB ความจุราคา (ผู้ใช้ / ดิบ) อินเทอร์เฟซ / ตัวควบคุมโปรโตคอล หน่วยความจำ DRAM การอ่านตามลำดับ การเขียนแบบสุ่ม อ่าน – QD1 การเขียนแบบสุ่ม – QD1 การอ่านแบบสุ่มสูงสุด การเขียนแบบสุ่มสูงสุด ความทนทานต่อความปลอดภัย (TBW) หมายเลขชิ้นส่วนการรับประกัน
$89.99
$149.99
$229.99
$429.99
250GB / 256GB
500GB / 512GB
1000GB / 1024GB
2000GB / 2048GB
ม.2 2280
ม.2 2280
ม.2 2280
ม.2 2280
PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
Samsung Elpis
Samsung Elpis
Samsung Elpis
Samsung Elpis
LPDDR4
LPDDR4
LPDDR4
LPDDR4
Samsung 1xxL V-NAND TLC
Samsung 1xxL V-NAND TLC
Samsung 1xxL V-NAND TLC
Samsung 1xxL V-NAND TLC
6,400 MBps
6,900 MBps
7,000 MBps
7,000 MBps
2,700 MBps
5,000 MBps
5,000 MBps
5,100 MBps
22,000 IOPS
22,000 IOPS
22,000 IOPS
22,000 IOPS
60,000 IOPS
60,000 IOPS
60,000 IOPS
60,000 IOPS
500,000 IOPS
800,000 IOPS
1,000,000 IOPS
1,000,000 IOPS
600,000 IOPS
1,000,000 IOPS
1,000,000 IOPS
1,000,000 IOPS
AES 256 บิต FDE; ทีซีจี โอปอล V2.0; IEEE1667
AES 256 บิต FDE; ทีซีจี โอปอล V2.0; IEEE1667
AES 256 บิต FDE; ทีซีจี โอปอล V2.0; IEEE1667
AES 256 บิต FDE; ทีซีจี โอปอล V2.0; IEEE1667
150 TB
300 TB
600 TB
1200 TB
5 ปี
5 ปี
5 ปี
5 ปี
MZ-V8P250BW
MZ-V8P500BW
MZ-V8P1T0BW
MZ-V8P2T0BW
980 Pro ของ Samsung มีจำหน่ายในขนาดความจุตั้งแต่ 250GB ถึง 1TB แต่ต่างจาก 970 Pro เจนเนอเรชั่นล่าสุด 980 Pro จะนำจุดความจุ 2TB กลับมา น่าเสียดายที่ Samsung จะไม่วางจำหน่ายรุ่น 2TB จนถึงปลายปี 2020 อย่างที่คาดไว้สำหรับ SSD รุ่นเรือธงของ Samsung ความจุแต่ละตัวนั้นเหนือชั้นกว่าไดรฟ์คู่แข่ง ราคามีตั้งแต่ 90 ดอลลาร์สำหรับความจุ 250GB จนถึง 230 ดอลลาร์สำหรับรุ่น 1TB โดยรุ่นหลังจะมีราคาต่อ GB ที่ดีที่สุด
บริษัทให้คะแนน 980 Pro เพื่อให้มีความเร็วสูงสุดในการอ่าน/เขียนสูงสุด 7/5 GBps และ IOPS การอ่าน/เขียนแบบสุ่มมากกว่า 1 ล้านครั้ง ตัวเลขประสิทธิภาพเหล่านี้ไม่สอดคล้องกันในความจุของอุปกรณ์เหมือนใน 970 Pro ดังนั้นไดรฟ์ที่มีขนาดใหญ่กว่าจึงเร็วกว่าไดรฟ์ที่ช้ากว่า
980 Pro – ความจุอัจฉริยะ TurboWrite 2.0 ค่าเริ่มต้นIntelligentTotalTurboWrite After TurboWrite
250GB
4 กิกะไบต์
45GB
49GB
2,700 MBps
500 MBps
500GB
4 กิกะไบต์
90GB
94GB
5,000 MBps
1,000 MBps
1TB
6GB
108GB
114GB
5,000 MBps
2,000 MBps
970 EVO Plus – ความจุ TurboWrite อัจฉริยะ 1.0 ค่าเริ่มต้นIntelligentTotalTurboWrite After TurboWrite
250GB
4 กิกะไบต์
9GB
13GB
2,300 MBps
400 MBps
500GB
4 กิกะไบต์
18GB
22GB
3,200 MBps
900 MBps
1TB
6GB
36GB
42GB
3,300 MBps
1,700 MBps
2TB
6GB
36GB
42GB
3,300 MBps
1,700 MBps
980 Pro ของ Samsung มีฟีเจอร์ Intelligent TurboWrite 2.0 เพื่อเปิดใช้งานประสิทธิภาพการถ่ายภาพต่อเนื่องอย่างรวดเร็ว แต่อย่างที่เราเห็นกลไกการแคช SLC ทั้งหมด ความเร็วในการเขียนโดยตรงไปยัง TLC ของ Samsung จะช้ากว่ามากหลังจากแคชเติม Intelligent TurboWrite 2.0 ของ Samsung ปรับปรุงจากการใช้งาน 97O EVO Plus เพื่อให้ผู้ใช้ปลายทางสามารถเขียนได้เร็วขึ้นและนานขึ้น
ไม่เพียงแต่ประสิทธิภาพ After-TurboWrite ที่ยั่งยืนจะสูงขึ้นทั่วทั้งบอร์ด แต่ Samsung ได้เพิ่มความจุของแคช TurboWrite ขึ้นอย่างมาก Samsung ทิ้งค่าแคชเริ่มต้นแบบคงที่ 4GB/6GB ไว้เหมือนเดิม แต่ปรับปรุงแคชแบบไดนามิกโดยขยายความจุให้ใหญ่ขึ้นสูงสุดห้าเท่า
จำนวนไบต์ที่เขียนและการรับประกันทั้งหมด ผลิตภัณฑ์250GB500GB1TB2TB 980 Pro 970 Pro Warranty
150 TB
300 TB
600 TB
1,200 TB
300 TB
600 TB
1,200 TB
ไม่มี
5 ปี
5 ปี
5 ปี
5 ปี
แม้จะมีการใช้งาน TurboWrite 2.0 ใหม่, Low-Density Parity-Check (LDPC) ECC และการจัดสรรเกิน 9% Samsung ยังคงดึงคะแนนความทนทานของ 980 Pro กลับคืนมาเนื่องจากแฟลช TLC ซึ่งตรงกับ 970 EVO Plus ในตัวเดียวกัน ระยะเวลาการรับประกันห้าปี
นี่เป็นเรื่องที่น่าผิดหวังเล็กน้อย ไม่เพียงแต่สำหรับเรา แต่ยังสำหรับผู้ซื้อที่มีศักยภาพซึ่งได้แสดงความเศร้าโศกบนฟอรัมแล้ว การเปลี่ยนแปลงนี้เป็นการย้ายที่คำนวณโดย Samsung ตามสถิติของ Samsung ที่มี NVMe SSD มากกว่า 661,000 ตัว บริษัทกล่าวว่า 99% ของผู้ใช้เขียนข้อมูลได้สูงสุด 156 TB ภายในห้าปี และ 99.7% เขียนน้อยกว่า 600 TB
นอกจากนี้ 980 Pro ของ Samsung ไม่เหมือนกับ SSD ส่วนใหญ่ในตลาด รองรับการเข้ารหัสแบบเร่งด้วยฮาร์ดแวร์ AES 256 บิต ซึ่งเป็นไปตามข้อกำหนด TCG Opal V2.0 และ IEEE1667 สำหรับการปกป้องข้อมูลที่หยุดนิ่ง รองรับการลบอย่างปลอดภัยผ่านคำสั่ง Format NVM และความสามารถในการลบการเข้ารหัส เช่นเดียวกับการรายงานข้อมูล SMART และ Trim
ซอฟต์แวร์และอุปกรณ์เสริม
ตั้งแต่การตรวจสอบไดรฟ์ไปจนถึงการเปรียบเทียบประสิทธิภาพและการกำหนดค่าความปลอดภัย Samsung Magician เป็นผู้นำตลาดทั้งในด้านการออกแบบและความสามารถของกล่องเครื่องมือ SSD บริษัทยังรองรับ NVMe SSD ด้วยไดรเวอร์ที่กำหนดเองซึ่งปรับแต่งโดยบริษัท และสำหรับผู้ที่ต้องการย้ายข้อมูลที่มีอยู่ไปยัง Samsung SSD ใหม่ บริษัทได้จัดเตรียมซอฟต์แวร์ Samsung Data Migration เพื่อโคลนข้อมูลได้อย่างง่ายดาย
มองใกล้
โดยรวมแล้ว 980 Pro ของ Samsung ดูเหมือนจะได้รับการซ่อมแซมและขยายขนาดขึ้น 970 EVO Plus 980 Pro มาในรูปแบบ M.2 2280 และมี PCB สีดำและส่วนประกอบที่มีคุณภาพ แม้ว่าหมายเลข SKU ที่สติกเกอร์ด้านบนจะห่างไกลจากความสวยงามของ 980 Pro บริษัทสามารถติดเครื่องหมายเหล่านี้ไว้ด้านหลังได้อย่างง่ายดายพร้อมกับข้อมูลการปฏิบัติตามข้อกำหนด
ด้วยขนาดที่เล็กของ 980 Pro แต่เปี่ยมไปด้วยประสิทธิภาพ อุปกรณ์จึงจำเป็นต้องสร้างความร้อน เพื่อช่วยให้เครื่องเย็นอยู่เสมอ บริษัทยังคงใช้แผ่นกระจายความร้อนทองแดงที่ด้านหลังของอุปกรณ์เพื่อช่วยดูดซับภาระความร้อนเมื่อมีภาระงานหนัก นอกจากนี้ ตัวควบคุมยังมีการเคลือบนิกเกิลที่ Samsung บอกว่าระบายความร้อนได้ดีขึ้นประมาณ 7%
ไดรฟ์ยังรองรับ Active State Power Management (ASPM), Autonomous Power State Transition (APST) และโหมดพลังงานต่ำพิเศษ L1.2 เพื่อควบคุมการใช้พลังงานโดยรวม เช่นเดียวกับการปรับแต่งเทคโนโลยีป้องกันความร้อนแบบไดนามิก (DTG) เพิ่มเติมที่ ช่วยให้คุณเขียนได้นานขึ้นโดยไม่ทำให้อุปกรณ์ช้าลง
คอนโทรลเลอร์ SSD ใหม่ชื่อ Elpis มีขนาด 16.5 x 16.5 มม. และมีสถาปัตยกรรม Arm แบบมัลติคอร์บน DRAM ที่สร้างขึ้นบนโหนดกระบวนการผลิต 8nm ของ Samsung ในขณะที่ Phoenix รุ่นก่อนใช้ Arm Cortex R5 จำนวน 5 คอร์ แต่ Samsung ยังไม่ได้ระบุประเภทคอร์หรือจำนวนคอร์ที่จ่ายไฟให้กับคอนโทรลเลอร์ใหม่นี้ Samsung ไม่ได้ระบุจำนวนช่องสัญญาณ แม้ว่าอาจเป็นการออกแบบแปดช่องก็ตาม
อย่างไรก็ตาม Samsung ได้กล่าวถึงจุดที่น่าสนใจอื่นๆ เกี่ยวกับความสามารถในการประมวลผล IO ของคอนโทรลเลอร์ บริษัทระบุว่าคอนโทรลเลอร์ PCIe 4.0 x4 NVMe 1.3c ใหม่สามารถประมวลผลคิว I/O พร้อมกันได้ถึง 128 คิว ซึ่งเพิ่มขึ้นจาก 32 คิวบนคอนโทรลเลอร์ PCIe 3.0 รุ่นก่อน นำไปสู่โปรไฟล์เวลาแฝงที่ตอบสนองมากขึ้น
980 Pro ใช้ประโยชน์จาก DRAM ในการแคชข้อมูลเมตาของ FTL และสำหรับงานนี้ บริษัทได้ติดตั้ง SSD ด้วย LPDDR4 อินเทอร์เฟซ DRAM IC เหล่านี้สูงถึง 1866 MHz และต้องการเพียง 1.1V เพื่อใช้งาน รุ่น 250GB และ 500GB มาพร้อมกับ DRAM 512MB ในขณะที่ 1TB และ 2TB รับ 1GB และ 2GB ตามลำดับ
ตลอดหลายปีที่ผ่านมา Samsung เป็นผู้นำในการออกแบบ NAND และ V-NAND ของบริษัทเป็นแฟลชดักประจุ 3D แบบช่องแนวตั้งเครื่องแรกที่นำเข้ามาในปริมาณมาก V6 V-NAND TLC 1xx-layer ของ Samsung เป็นแฟลชที่ปรับปรุงใหม่ที่สุดของบริษัท โดยจะปรับขนาดการนับเลเยอร์จนถึงความสูงใหม่และกินไฟน้อยกว่าแฟลช V5 15%
แม้ว่าจะยังไม่ได้รับการยืนยัน แต่รายงานของ V6 V-NAND ของ Samsung นั้นมีมากถึง 136 เลเยอร์ เพิ่มขึ้น 40% จากจำนวน 92 เลเยอร์ของ 970 EVO Plus ต่างจากแฟลช 3D คู่แข่งตรงที่ Samsung ไม่จำเป็นต้องใช้การออกแบบหลายสแต็กเพื่อให้ได้จำนวนเลเยอร์ที่สูงเช่นนี้ แต่บริษัทใช้เทคโนโลยีการกัดช่องสัญญาณที่เป็นเอกลักษณ์เพื่อเพิ่มความสามารถในการปรับขนาดภายในกองเดียว ด้วยการผสานการออกแบบแบบกองเดียว บริษัทกล่าวว่าสามารถรักษาการผลิตคุณภาพสูงและให้ผลตอบแทนที่ดีโดยไม่ต้องเสี่ยงที่จะวางช่องช่องวางไม่ตรงแนว
มีเพียงสองแพ็คเกจ NAND บน PCB ของ 980 Pro ซึ่งใช้ได้กับทุกความจุ 980 Pros ขนาด 250GB ถึง 1TB 980 มาพร้อมกับ 256Gb dies ในขณะที่รุ่น 2TB หากมีจะมาพร้อมกับ 512Gb dies ซึ่งหมายความว่าทั้งรุ่น 1TB และ 2TB มีทั้งหมด 32 ดายเพื่อคุณสมบัติการแทรกสอดที่เหมาะสมและประสิทธิภาพสูงสุด เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพ V-NAND ของ Samsung นำเสนอสองระนาบต่อดาย (ขอบเขตการเข้าถึงดายที่แยกจากกัน) เพื่อการสอดแทรกเพิ่มเติม
คู่แข่งอย่าง SK hynix และ Micron ในตอนนี้มีการออกแบบสี่ระนาบ ซึ่งเพิ่มความขนานกันเป็นสองเท่า แต่สิ่งนี้จะเพิ่มให้กับวงจรรอบนอกโดยรวม ซึ่งในทางกลับกันก็ใช้พื้นที่ดายอันมีค่า เพื่อเอาชนะข้อจำกัดของพื้นที่ดายนั้น บริษัทส่วนใหญ่ใช้หรือกำลังเปลี่ยนไปใช้เทคโนโลยี Periphery Under Cell (PUC) หรือ CMOS Under Array (CUA)
แฟลช NANDSamsung V6 V-NANDSK hynix 4D NANDMicronKioxia BiCS4
จำนวนชั้น
1xxL
128L
96L
96L
จำนวนบิตต่อเซลล์
3-บิต / TLC
3-บิต / TLC
3-บิต / TLC
3-บิต / TLC
ความหนาแน่นของแม่พิมพ์ (Gb)
512
512
512
512
พื้นที่ดาย (mm^2)
101.6
63.2
81.8
86
ความหนาแน่นของบิต (Gb/mm^2)
5
8.1
6.3
6
ด้วยการวางขอบเพิ่มเติม บัฟเฟอร์หน้า และวงจรแบบเลือกอื่น ๆ ไว้ใต้อาร์เรย์เซลล์แทนที่จะเป็นเส้นขอบ บริษัทต่างๆ สามารถเพิ่มความหนาแน่นของบิตต่อเวเฟอร์ได้ ขาดองค์ประกอบการออกแบบนี้ V6 V-NAND ของ Samsung ได้รับผลกระทบจากความหนาแน่นของบิต V7 V-NAND เจเนอเรชันใหม่ของ Samsung มีแนวโน้มมากที่สุดที่จะใช้แนวคิดทั้งแบบ multi-stack และ Cell Over Periphery (COP) เพื่อปรับปรุง
การออกแบบปัจจุบันแบ่งอาร์เรย์เซลล์ระนาบ 16kB สองลำออกเป็นระนาบย่อย 8kB สองระนาบด้วยการตรวจจับแบบคู่/คี่เพื่อประสิทธิภาพการทำงานที่รวดเร็วยิ่งขึ้นด้วยงบประมาณพื้นที่จำกัด ร่วมกับการปรับเปลี่ยนอื่นๆ เช่น แผนการเติมเงินบิตไลน์ที่ปรับปรุงแล้ว เทคนิคการลดความจุคู่ โครงร่างหน้าต่าง Vth แบบโปรเกรสซีฟ และรูปแบบการตรวจจับชีพจรล่วงหน้าแบบสุ่ม ทำให้ V6 V-NAND TLC ของ Samsung ตอบสนองเร็วขึ้น 10% สำหรับทั้งคู่ คำขออ่านและโปรแกรมสำหรับแฟลชรุ่นล่าสุด แฟลชรุ่นใหม่นี้ใช้เวลาอ่าน/เขียน 45/450 ไมโครวินาที (820/82 MBps) ตามลำดับ
แม้ว่าบริษัทจะไม่ได้ระบุความเร็วที่แน่นอนที่อินเทอร์เฟซแฟลชกับคอนโทรลเลอร์ แต่ Samsung ระบุว่าแฟลชทำงานที่ความเร็ว Toggle DDR 4.0 ซึ่งอยู่ในช่วงตั้งแต่ 800 MTps ถึง 1,400 MTps ที่แรงดันไฟฟ้า 1.2V ซึ่งน่าจะตรงกับความเร็วของ 128-Layer TLC ของ SK hynix ซึ่งเท่ากับ 1,200 MTps
