พบกับ 845DC EVO SSD ที่เน้นการอ่านของ Samsung
บางครั้งชื่อเป็นมากกว่าชื่อ และคุณสามารถรวบรวมข้อมูลมากมายจากหมายเลขรุ่นของ 845DC EVO เช่นเดียวกับ M500DC ของไมครอนและ SSD DC S3500 ของ Intel DC ย่อมาจากศูนย์ข้อมูล โดยปกติ นั่นหมายถึงการรวมการป้องกันไฟดับพร้อมกับเฟิร์มแวร์ที่ปรับให้เหมาะสมสำหรับเวิร์กโหลดขององค์กร และสำหรับทุกคนที่คุ้นเคยกับ Samsung SSD ส่วนต่อท้าย EVO เป็นตัวบ่งชี้ที่ชัดเจนว่าไดรฟ์นี้ทำมาจากอะไร
ก่อนที่เราจะก้าวไปข้างหน้า 840 EVO ของ Samsung ได้เปิดตัวเมื่อฤดูร้อนที่แล้วโดยมีบทวิจารณ์ที่ดีมากมาย มันให้ประสิทธิภาพที่ดีผ่านเทคโนโลยีที่เป็นนวัตกรรมใหม่ จัดส่งที่ความจุสูงและขายในราคาที่สมเหตุสมผล ส่วนใหญ่มาจาก NAND เซลล์สามระดับ แน่นอนว่าในปีที่ผ่านมา คุณไม่สามารถพูดถึงแฟลช TLC ได้โดยไม่จัดการเรื่องความทนทานในการเขียนที่ต่ำกว่า เวลาแฝงที่สูงขึ้น และปัญหาความน่าเชื่อถือ และนั่นก็สำหรับ SSD ที่เน้นผู้บริโภค ตอนนี้ Samsung ได้เปิดตัวไดรฟ์ที่ใช้ TLC สำหรับตลาดองค์กรแล้วใช่หรือไม่ ถูกตัอง.
เมื่อ TLC NAND ถูกผลิตขึ้นเป็นครั้งแรก ผู้ใช้ส่วนใหญ่ที่เริ่มใช้งานส่วนใหญ่จะกังวลเกี่ยวกับความทนทานในการเขียน การให้คะแนนรอบ P/E ที่ต่ำลงทำให้คนจำนวนมากกลัว และเมื่อพูดถึงรุ่นที่มีความจุต่ำที่สุด ความกังวลบางอย่างก็เกิดขึ้น ปัญหาคือการพิจารณาความทนทานของ SSD โดยพิจารณาจากความทนทานของเซลล์เดียวไม่ได้บอกเล่าเรื่องราวทั้งหมด สถานการณ์ที่ซับซ้อนยิ่งขึ้นไปอีก ผู้ที่สนใจส่วนใหญ่คิดว่า MLC สองบิตต่อเซลล์นั้นดีสำหรับรอบ 5,000 ถึง 10,000 รอบ ซึ่งเป็นความจริงเมื่อสามถึงสี่ปีที่แล้ว แต่วันนี้ MLC 20 นาโนเมตรเข้าใกล้ 3000
แม้ว่าระบบฟิสิกส์ของโหนดการผลิตที่มีขนาดเล็กกว่าจะลดทอนความทนทานในการเขียน แต่ผู้จำหน่าย SSD กำลังต่อสู้กับสิ่งนี้ในรูปแบบต่างๆ อย่างแรกก็แค่เพิ่ม NAND ให้มากขึ้น หากราคาของแฟลชลดลงเร็วกว่าความทนทานในการเขียนที่ลดลง NAND ที่มากขึ้นสามารถช่วยชดเชยผ่านการจัดสรรส่วนเกินหรือความจุที่สูงขึ้น มันก็แค่คณิตศาสตร์ ณ จุดนั้น กระจายการเขียนออกไปในเซลล์ต่างๆ มากขึ้น ประการที่สอง พิจารณาสถานะของเฟิร์มแวร์คอนโทรลเลอร์ที่เปลี่ยนแปลงตลอดเวลา กลยุทธ์การปรับระดับการสึกหรอ การรวบรวมขยะ และ TRIM มีการพัฒนาอย่างมาก ทำให้ผู้จำหน่าย SSD สามารถยืดอายุการใช้งานของไดรฟ์ได้ เป็นผลให้เราสรุปใน Samsung 840 EVO SSD: ทดสอบที่ 120, 250, 500 และ 1,000 GB ที่ TLC เป็นและควรยังคงเป็นเทคโนโลยีที่ใช้งานได้สำหรับผู้บริโภค สิ่งที่เราอยากจะตัดสินในวันนี้ก็คือว่า
เห็นได้ชัดว่าความสงสัยบางอย่างเกี่ยวกับ TLC เกิดขึ้นที่ Samsung คราวนี้ บริษัทจะไม่เรียกหน่วยความจำ TLC แต่ 845DC EVO มี 19 nm Toggle 3-bit MLC NAND ฟังดูไม่ดีกว่าเหรอ? และซัมซุงก็หลีกเลี่ยงปัญหาเรื่องความทนทานในการเขียนโดยมุ่งเป้าไปที่ SSD ล่าสุดในสภาพแวดล้อมที่การอ่านมีความโดดเด่นที่สุด พื้นที่จัดเก็บประเภทนี้มีผู้คนหนาแน่นมากขึ้น บางทีการเพิ่มล่าสุดที่โดดเด่นที่สุดคือ SSD DC S3500 ของ Intel
อินเทอร์เฟซความจุผู้ใช้ Samsung 845DC EVO ฟอร์มแฟกเตอร์ การอ่านตามลำดับ การเขียนตามลำดับ 4 KB การอ่านแบบสุ่ม 4 KB การเขียนแบบสุ่ม การใช้พลังงาน (Active Max) ความทนทาน (TBW) การรับประกันความน่าเชื่อถือ
240 GB
480 GB
960 GB
6 Gb/s SATA
2.5″ 7 มม.
530 MB/วินาที
270 MB/วินาที
410 MB/วินาที
87,000 IOPS
12,000 IOPS
14,000 IOPS
3.8 วัตต์
150 TB
300 TB
600 TB
MTBF 2,000,000 ชั่วโมง
ห้าปี
ข้อมูลจำเพาะของไดรฟ์สามารถแข่งขันกับ SSD อื่น ๆ ในพื้นที่ที่เน้นการอ่าน ที่น่าสนใจกว่านั้นคือเราถูกชักจูงให้เชื่อว่า 845DC EVO เอาชนะ SSD DC S3500 อันทรงพลังของ Intel ในเกือบทุกประเภทรวมถึงความทนทาน (แม้จะมีหน่วยความจำแบบเซลล์สามระดับ) Intel อ้างสิทธิ์เพียง 140 TBW สำหรับรุ่น 240 GB และ 275 TBW สำหรับรุ่น 480 GB
ณ จุดนี้ ข้อมูลจำเพาะที่สำคัญที่สุดที่ขาดหายไปคือราคา เช่นเดียวกับการเปิดตัวที่มุ่งเน้นองค์กรจำนวนมาก แม้ว่าเราจะติดต่อ Samsung เพื่อขอข้อมูลเพิ่มเติม เราก็ไม่สามารถบอกคุณได้ว่า 845DC EVO จะมีค่าใช้จ่ายเท่าใด ด้วยเหตุนี้ จึงเป็นเรื่องยากมากที่จะคำนึงถึงคุณค่าของมัน แต่ขอใส่ทุกอย่างในมุมมอง เมื่อ SM843 ของ Samsung, 840 Pro ที่มีการปรับแต่งระดับองค์กร, พื้นผิวของมันมีราคาที่สูงมากในกลุ่มของมัน ไดรฟ์ขายได้มากกว่า 840 Pro เล็กน้อยในความเป็นจริง หากบริษัทรักษาเดลต้านี้ไว้ 845DC EVO อาจกลายเป็นขโมยโดยสมบูรณ์เมื่อพิจารณาว่า 840 EVO ที่มีความจุมากขึ้น จะเคลื่อนที่ได้น้อยกว่า 0.50 เหรียญ/GB อย่างสม่ำเสมอ
