การโอเวอร์คล็อกหน่วยความจำบน X399 Colfax
เส้นแบ่งแยกแพลตฟอร์ม HEDT (เดสก์ท็อประดับไฮเอนด์) ออกจากแพลตฟอร์มหลักเสมอ คุณมักจะพบผู้ที่ชื่นชอบฮาร์ดคอร์ ผู้สร้างเนื้อหา และผู้ใช้เวิร์กสเตชันที่เลือกเป็นอันดับแรก ในขณะที่ผู้ใช้คอมพิวเตอร์ทั่วไปหรือนักเล่นเกมมักจะเลือกอย่างหลัง เนื่องจากแพลตฟอร์ม HEDT มุ่งเป้าไปที่ผู้ใช้ที่มีความต้องการมากกว่า จึงมาพร้อมชุดคุณสมบัติที่ใหญ่กว่า เช่น การรองรับโปรเซสเซอร์ที่มีคอร์หนัก หรือสล็อตหน่วยความจำจำนวนมาก ตัวเลือกการจัดเก็บข้อมูล และสล็อต PCI Express
น่าเศร้าที่คุณไม่ได้รับคุณสมบัติพิเศษฟรี การสร้างพีซีโดยใช้แพลตฟอร์ม HEDT มักต้องการการลงทุนที่มากขึ้น เนื่องจากชิ้นส่วน HEDT มีราคาแพงกว่ามาก คุณอาจต้องการใช้จ่ายเงินที่หามาได้ยากในที่ที่สำคัญที่สุด บทความนี้จะประเมินผลกระทบที่ความเร็วหน่วยความจำมีต่อแพลตฟอร์ม X399 การทดสอบของเราประกอบด้วยความเร็วหน่วยความจำหลายระดับตั้งแต่ DDR4-2133 จนถึง DDR4-3333 ในสถานการณ์ต่างๆ เพื่อพิจารณาว่าประโยชน์ของการลงทุนซื้อชุดหน่วยความจำที่เร็วกว่านั้นมีค่ามากกว่าต้นทุนหรือไม่
Colfax และ DDR4-2933
ชิปเซ็ต AMD X399 ซึ่งมีอายุมากกว่าสองปีในขณะนี้ ยังคงเป็นแพลตฟอร์มผู้ที่ชื่นชอบเรือธงของทีม Red นับตั้งแต่ก่อตั้ง ชิปเซ็ต X399 ได้เห็นและบรรจุโปรเซสเซอร์เดสก์ท็อป AMD Ryzen Threadripper มากถึงสองรุ่น อย่างที่คาดไว้ การสนับสนุนหน่วยความจำได้ผ่านวิวัฒนาการทีละน้อยของมันเอง
การรองรับหน่วยความจำบนโปรเซสเซอร์ Ryzen Threadripper ของ AMD มีความก้าวหน้าเหมือนกับชิปเดสก์ท็อป Ryzen ชิป Threadripper รุ่นแรกที่มีชื่อรหัสว่า Whitehaven เปิดตัวพร้อมรองรับโมดูลหน่วยความจำ DDR4 สูงสุด 2,666 MHz การรองรับหน่วยความจำก็ไม่เลว แต่ก็ไม่ได้น่าตื่นเต้นเช่นกัน ในทางกลับกัน ชิ้นส่วน Threadripper รุ่นที่สอง ซึ่งมีชื่อรหัสว่า Colfax มาพร้อมกับการรองรับความเร็วหน่วยความจำที่เพิ่มเป็น 2,933 MHz ซึ่งแสดงถึงการปรับปรุง 12.5% เมื่อเทียบกับโปรเซสเซอร์ Threadripper รุ่นแรก
จุดขายอย่างหนึ่งสำหรับโปรเซสเซอร์ Ryzen Threadripper คือการรองรับหน่วยความจำแบบ quad-channel ด้วยเหตุนี้ มาเธอร์บอร์ดที่ใช้ AMD X399 ที่ยึดตามรูปแบบ ATX มักมาพร้อมกับสล็อตหน่วยความจำ DDR4 แปดช่อง สิ่งนี้ได้เปิดประตูให้ผู้บริโภคสามารถบรรจุหน่วยความจำได้มากถึง 128GB ในระบบเดียว เมื่อสล็อตหน่วยความจำทั้งหมดบรรจุด้วยโมดูล 16GB DDR4 แม้ว่าหน่วยความจำแบบสี่ช่องสัญญาณจะเป็นมาตรฐานบนแพลตฟอร์ม X399 คุณยังสามารถใช้โมดูลหน่วยความจำในรูปแบบช่องสัญญาณคู่หรือช่องสัญญาณเดียวได้ อย่างไรก็ตาม นั่นจะขัดต่อจุดประสงค์ในการได้มาซึ่งแพลตฟอร์ม HEDT ตั้งแต่แรก
G.Skill Trident Z RGB DDR4-4000 C18 8x8GB ชุดหน่วยความจำ: F4-4000C18Q2-64GTZR
ชุดหน่วยความจำที่เราใช้มาจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ Trident Z RGB ของ G.Skill ประกอบด้วยโมดูลหน่วยความจำแปดโมดูลซึ่งผลิตขึ้นบน PCB สิบชั้น (แผงวงจรพิมพ์) ด้วยชิป Samsung b-die โมดูลหน่วยความจำแต่ละโมดูลมีขนาด 8GB และทำเครื่องหมายที่ 4,000 MHz การกำหนดเวลาได้รับการกำหนดค่าที่ CL18-19-19-39 ด้วยแรงดันไฟฟ้าที่ใช้งาน 1.35V
หน่วยความจำ Trident Z RGB ของ G.Skill เป็นไปตามมาตรฐาน JEDEC และทำงานที่ 2,133 MHz พร้อมกำหนดเวลา CL15-15-15-36 และแรงดันไฟฟ้าทำงาน 1.20V อย่างไรก็ตาม โมดูลหน่วยความจำมาพร้อมกับโปรไฟล์ XMP 2.0 สองโปรไฟล์ ครั้งแรกทำให้ทำงานที่ 3,733 MHz และครั้งที่สองที่ 4,000 MHz ตามกำหนดเวลาที่โฆษณา
MSI X399 Gaming Pro Carbon AC
MSI X399 Gaming Pro Carbon AC เป็นเมนบอร์ดทางเลือกสำหรับระบบทดสอบ X399 ของเรา มาเธอร์บอร์ดมีการจ่ายพลังงานเฟสที่แข็งแกร่งด้วยการออกแบบ 10+3 เฟส สิบเฟสมีแนวโน้มที่จะตอบสนองความต้องการของโปรเซสเซอร์ในขณะที่อีกสามเฟสดูแล SoC (ระบบบนชิป) MSI มอบ X399 Gaming Pro Carbon AC ด้วยสล็อตหน่วยความจำ DDR4 แปดช่องและรองรับความเร็วหน่วยความจำสูงถึง 3,600 MHz และอีกมากมาย เมนบอร์ดยังสนับสนุนโมดูลหน่วยความจำ ECC (รหัสแก้ไขข้อผิดพลาด)
เทคโนโลยี DDR4 Boost ของ MSI ได้กลายเป็นมาตรฐานสำหรับมาเธอร์บอร์ดของแบรนด์แล้ว เป็นการออกแบบวงจรหน่วยความจำที่ปรับให้เหมาะสมโดยพื้นฐานแล้วช่องเสียบหน่วยความจำเชื่อมต่อโดยตรงกับโปรเซสเซอร์โดยไม่มีส่วนประกอบขัดขวางซึ่งอาจรบกวนหรือลดระดับสัญญาณได้ มาตรการเพิ่มเติม MSI ยังแยกวงจรหน่วยความจำออกจากส่วนที่เหลือของเมนบอร์ด ซึ่งช่วยลดการรบกวนเพิ่มเติม สายตา มันเหมือนกับการมี PCB ภายใน PCB ที่มีรั้วกั้นระหว่างทั้งสอง
PCB ของเมนบอร์ดผลิตขึ้นด้วยการผสมผสานระหว่างเรซินและไฟเบอร์กลาส ในโลกอุดมคติ ควรวางร่องรอยหน่วยความจำไว้เหนือไฟเบอร์กลาสเพื่อรักษาความสมบูรณ์ของสัญญาณหน่วยความจำ อย่างไรก็ตาม บางครั้งพวกมันถูกขัดขวางโดยรูเรซินที่สามารถรบกวนสัญญาณได้ วิธีแก้ปัญหาของ MSI สำหรับปัญหาการทอด้วยเส้นใยคือการกระจายร่องรอยหน่วยความจำในรูปแบบซิกแซกเพื่อหลีกเลี่ยงรูเรซิน
