Наш вердикт
Усовершенствования флэш-памяти для устаревшей технологии 2D по-прежнему не могут заполнить пробел между Samsung V-NAND и всем остальным. Много денег уходит на разработку контроллера, чтобы поддерживать жизнеспособность 15-нм/16-нм 2D-флеш-памяти до тех пор, пока IMFT и Flash Forward не выпустят 3D-технологии. Если компания хочет конкурировать с Samsung и продавать твердотельные накопители, ей нужно что-то другое. Низкая стоимость NVMe — едва ли не единственная оставшаяся неиспользованная граница. Все остальное просто движется назад.
За
Пакет аксессуаров Adata сравним с лучшими на рынке сегодня. В SX930 также используется усовершенствованная флэш-память MLC+, которая является новой и интересной.
Против
MLC+ — это в основном просто способ конкурировать с превосходной вспышкой Samsung до того, как Micron начнет наращивать объемы 3D. Цена SX930 недостаточно конкурентоспособна, чтобы быть реальным выбором для геймеров или другой целевой группы пользователей.
Вступление
Семейство Adata XPG SX является флагманом компании. Недавно компания обновила модельный ряд новым XPG SX930, в котором упор сделан на выносливость, а не на производительность.
Насколько я помню, это первый случай, когда производитель твердотельных накопителей сместил акцент в своем топовом продукте со скорости на выносливость. Для большинства пользователей выносливость является запоздалой мыслью; большинству энтузиастов нужны высокие результаты производительности, хотя приведенные цифры почти всегда не имеют значения. Поскольку технология, используемая для производства дюймов NAND, приближается к изоляторам, состоящим из одноразрядных атомов, износостойкость снова в моде в качестве аргумента в пользу продажи твердотельных накопителей.
Все признаки указывают на 15/16 нм как на конечный узел для 2D флэш-литографии. Следующим шагом являются штабелированные ячейки, в которых увеличение плотности достигается за счет большего количества слоев на кристалле, а не попытки уместить ту же емкость на меньшей площади. С каждой усадкой изоляционный слой, подверженный износу, становится меньше. Это уменьшает количество раз, когда ячейка может записывать биты и эффективно хранить их в течение длительного периода времени. Производители NAND разработали несколько инновационных способов решения этой проблемы. Один из методов заключается в снижении напряжения, используемого для зарядки элементов. Чтобы сделать это, заряд должен применяться в течение более длительного времени, что увеличивает задержку записи. Мы часто называем этот метод флэш-памятью eMLC. Он существует уже давно и обычно используется в твердотельных накопителях, предназначенных для корпоративных клиентов.
Флэш-память с маркировкой MLC+ записывает в раздел кристалла MLC в одноуровневом режиме ячеек. SLC очень легко читать и писать; заряд либо включен либо выключен. Это позволяет программе или операции чтения быть немного небрежной по сравнению с MLC или TLC, где точность важнее. Случайные операции записи изнашивают флэш-память быстрее, чем последовательные операции. Неаккуратная область SLC улавливает случайные данные записи и передает их в область MLC в виде последовательной записи. Поскольку область SLC должна хранить данные только в течение короткого периода времени, хранение не является проблемой.
За последний год мы все читали отчеты о долговечности твердотельных накопителей, при этом общее количество записанных байтов (TBW) значительно превышало оценки производителей. Что в большинстве этих историй не учитывается, так это то, как долго информация сохраняется после того, как диск обесточен. Включенный и постоянно используемый твердотельный накопитель может перемещать огромное количество данных, но что хорошего в диске, если он отключится и данные будут потеряны через несколько дней? Надлежащее тестирование на выносливость заключается не только в том, сколько байтов вы можете записать на SSD, прежде чем он выйдет из строя. В какой-то момент нужно подумать о том, как долго данные могут быть надежно подвешены в гейтах.
С MLC+ выносливость работает в обратном направлении. Кэш не должен хранить информацию; это только коснулось на короткое время. При чтении и записи одного бита операционная задержка ниже. Как бы странно это ни звучало, это увеличивает общую производительность и долговечность продукта.
