Nosso Veredicto
Com 10.000 IOPS de leitura aleatória (com uma profundidade de fila de um), o SSD 750 Evo oferece uma excelente experiência de usuário. Realmente não há uma razão para procurar em outro lugar. Os produtos da Samsung agora oferecem desempenho a partir do próximo nível de preço, tornando-os o melhor valor em todos os segmentos. O 750 Evo emprega a mesma fórmula que funcionou tão bem em outros preços. Os entusiastas obtêm desempenho superior a um preço inegavelmente atraente.
Por
Baixo custo • Alto desempenho na maioria das cargas de trabalho
Contra
Disponível apenas em duas capacidades • Pode não aparecer em lojas físicas devido ao mercado-alvo • Baixa classificação de resistência (pelos padrões da Samsung) • Comparável a outros produtos no mercado de SSD de alto valor
Especificações, preços, garantia e acessórios
A Samsung decidiu trazer seu SSD 750 EVO de baixo custo para os EUA depois de enviá-lo por meses na Ásia. A unidade emprega NAND planar (2D) de três bits por célula como o 840 EVO, mas vê seu controlador atualizado com a tecnologia de correção de erros de verificação de paridade de baixa densidade (LDPC) encontrada na família 850.
O 840 EVO da Samsung chegou com grande alarde e gerou muita empolgação, tornando-se o SSD mais vendido de todos os tempos. Com o tempo, porém, surgiu um problema. Os clientes descobriram que os dados mais antigos nas unidades seriam lidos muito mais lentamente do que os dados novos. A Samsung reagiu com um par de atualizações de firmware e não ouvimos muito sobre o problema desde então.
Embora nunca tenha sido oficialmente mencionado, suspeitamos que o problema subjacente tenha a ver com o mecanismo de correção de erros do 840 EVO. A Samsung nos disse recentemente que o 840 EVO usava a tecnologia BCH ECC, semelhante a muitos outros SSDs com flash MLC. Unidades mais recentes com TLC NAND empregam uma tecnologia chamada LDPC (verificação de paridade de baixa densidade), que é uma forma muito mais forte de correção de erros que usa verificações de hardware e software para recuperar erros de bits.
O novo SSD 750 EVO usa o controlador do 850 EVO equipado com o mecanismo LDPC ECC mais avançado. O SSD foi introduzido no Japão e em outros mercados asiáticos há dois meses. Assumimos que o 750 EVO era a maneira da Samsung de queimar um estoque de NAND planar (2D) antes de fazer a transição para o flash 3D de 48 camadas. A empresa afirmou recentemente que o flash planar ainda tem futuro e não desaparecerá de sua linha tão cedo. O 2D NAND da Samsung é fabricado usando litografia de 16 nm e ouvimos rumores de um nó de 14 nm em desenvolvimento.
O 750 EVO também inclui um módulo de memória DDR3 de 256 MB no mesmo pacote do controlador MGX, o que deve reduzir a latência entre o processador e seu buffer DRAM. Esta é a primeira vez que vemos o design avançado em um SSD Samsung.
Especificações
Samsung 750 EVO (250 GB)
Samsung 750 EVO (120 GB)
O SSD 750 EVO é fornecido apenas em duas capacidades: 120 e 250 GB. Armado com um controlador MGX retrabalhado, 256 MB de DDR3 e flash TLC, ele se encaixa no segmento de menor custo do mercado SSD. No começo, ficamos impressionados com a falta de DRAM visível, principalmente porque o pacote do controlador da Samsung é de tamanho semelhante. Certamente, porém, o buffer integrado representa um passo em direção à redução de custos.
O SSD 750 EVO da Samsung reivindica alguns números de desempenho impressionantes. Seu desempenho de leitura sequencial atinge um pico de 540 MB/s. Ambas as capacidades também atingem um pico de 520 MB/s de gravações em buffer sequenciais. E mais uma vez, a Samsung consegue espremer 10.000 IOPS de leitura aleatória com o mínimo de paralelismo. Isso se deve ao design de quatro planos que duplica a largura de banda disponível entre o controlador e o flash.
Fomos informados de que o 750 EVO visa os construtores de sistemas e permitirá que os integradores adicionem SSDs a notebooks e desktops de baixo custo. Suas especificações de desempenho são semelhantes aos SSDs de varejo da empresa, mas com níveis de resistência muito mais baixos. Para comparar, o 750 EVO de 120 GB é classificado para 35 terabytes gravados. A mesma capacidade 850 EVO possui uma especificação de 75 TBW. A diferença aumenta quando você aumenta para 250 GB (70 TBW versus 150 TBW).
Você obtém suporte para criptografia de disco completo AES-256, habilitando o TCG Opal v.2.0. As unidades também funcionam com o recurso BitLocker da Microsoft.
Preços, Garantia e Acessórios
O preço sugerido para o modelo de 120 GB é de US$ 54,99 e o modelo de capacidade de 250 GB custa US$ 74,99. Esperamos ver o uso mais prevalente dos SSDs entre os construtores de sistemas de nível dois, como Origin PC, CyberPower e AVA Direct. A maioria dessas empresas lidará com reivindicações de garantia diretamente, mas a Samsung oferece uma garantia de três anos limitada à classificação TBW.
Nossas amostras de teste chegaram cercadas por plástico bolha. A princípio, assumimos que a Samsung faria deste um lançamento de caixa branca como sua família SM951. Mais tarde, soubemos que o 750 EVO será enviado em embalagens de varejo que incluem documentação.
O 750 EVO suporta o software Magician da Samsung. Além disso, esta série suporta a tecnologia Rapid Mode da empresa, que utiliza DRAM como cache de leitura e gravação. A ferramenta de migração de dados da Samsung também é compatível, embora nenhum pacote de software esteja incluído e precise ser baixado.
Um olhar mais atento
De acordo com a Samsung, o 750 EVO será enviado em uma caixa de varejo completa semelhante aos modelos 850 EVO e 850 Pro. À primeira vista, o 750 EVO parece um SSD padrão de 2,5 polegadas com uma altura z fina de 7 mm. Este é o mesmo chassi que a empresa usa em outros produtos como o 850 EVO.
No interior, encontramos um PCB muito pequeno que hospeda um punhado de componentes. As imagens mostram o modelo de 250GB com flash nos dois lados da placa. Mais uma vez, a DRAM ausente nos pegou desprevenidos. A Samsung não falou sobre seus esforços de integração durante nossa ligação há uma semana. Mas ao colocar o DDR3 no pacote do controlador, a latência entre os dois componentes deve ser reduzida. A Samsung não está falando sobre taxas de clock ou tempos de DRAM, no entanto.
O modelo de 120 GB perde o pacote NAND na parte traseira do PCB. Este é um projeto de custo muito baixo com baixa sobrecarga.
