Nosso Veredicto
O DC P3520 da Intel reduz a barra de preços para SSDs NVMe corporativos. A capacidade restrita pode dissuadir alguns com requisitos de alta capacidade, mas a resistência aprimorada, menor consumo de energia, desempenho suficientemente bom e preços excelentes promoverão a inevitável comoditização dos SSDs corporativos.
Por
Excelente preço
Bom desempenho de carga de trabalho leve
Maior resistência
Baixo consumo de energia
Contra
Restrição de capacidade de 2 TB
Intel lança seu 3D MLC NAND no data center
A Intel projetou seu novo DC P3520 para acelerar a qualidade do NVMe e 3D NAND para uma gama mais ampla de aplicativos de data center centrados em leitura com um preço extremamente competitivo. A série DC P3520 da Intel reduz o preço da tecnologia NVMe de ponta para ~ $ 0,55 por GB, que está a uma distância impressionante dos SSDs SATA corporativos.
Os primeiros dias dos SSDs corporativos foram tempos tediosos e caros. Os fabricantes desenvolveram seus próprios drivers e software personalizados para cada novo SSD, o que aumentou os custos e alongou os ciclos de qualificação. O campo minado da interoperabilidade era uma jornada perigosa para OEMs e usuários finais, então a indústria deu as boas-vindas à interface NVMe padronizada de braços abertos. O NVMe é amplamente conhecido por seu desempenho estelar, mas a interface também nos trouxe a promessa de SSDs comuns. Agora, até os data centers de hiperescala criam seus próprios SSDs com relativa facilidade.
O NVMe ajudou a reduzir o custo e promover a adoção, mas o caro NAND impediu o setor. A imagem de preços tornou-se mais brilhante a cada novo encolhimento da litografia planar, mas o NAND 2D mais denso e mais barato trouxe os efeitos colaterais indesejáveis de menos resistência e desempenho. O 3D NAND contorna as quatro principais barreiras de preço, resistência, potência e desempenho de uma só vez. A Samsung liderou a corrida 3D NAND e desfrutou de uma vantagem exclusiva por vários anos, mas agora o 3D NAND da IMFT (Intel/Micron) está entrando rapidamente no data center. O aumento da concorrência provavelmente será a chave para desbloquear a verdadeira promessa de um mercado semelhante a commodities.
Em muitos aspectos, o DC P3520 é simplesmente uma nova versão da venerável série DC P3x00 da Intel com NAND atualizado e resistência aprimorada, mas ao contrário da tendência atual de fornecer SSDs ultra-resistentes como o veículo principal, a Intel optou por iniciar sua jornada 3D com produtos de baixa resistência. A estratégia faz sentido, porque as operadoras de data centers estão empregando SSDs em cargas de trabalho convencionais à medida que os preços continuam despencando, de modo que o volume de jogo reside na extremidade inferior do totem de resistência.
A Intel empregou seu HET MLC de 20nm em suas séries P3x00 PCIe e DC Sx00 SATA da geração anterior, mas a marcha do progresso NAND tem muitos outros fornecedores ainda avançando com produtos baseados em NAND planar de 15nm e 16nm. Por exemplo, a Micron também se beneficia da parceria IMFT (Intel/Micron Flash Technologies) e tem seu próprio fornecimento cativo de 3D NAND, mas optou por usar seu planar 16nm com seus SSDs da série 9100.
Curiosamente, a Intel optou por ficar de fora da última geração NAND planar em favor do IMFT 3D NAND pendente. O novo IMFT 3D NAND de 32 camadas está sendo enviado em sabores TLC para uso do cliente, mas o DC P3520 marca a estreia da variante MLC, que traz mais resistência do que o TLC NAND de valor otimizado. A Intel também atualizou seus SSDs SATA corporativos com seu 3D MLC NAND, juntamente com uma ampla gama de seus SSDs de consumo.
O IMFT 3D NAND traz o benefício do aumento da densidade; ele fornece 256 Gb (32 GB) por matriz, que é o dobro da densidade da NAND de 128 Gbit e 20 nm da geração anterior. O aumento da densidade reduz o custo e também traz a possibilidade de SSDs de maior capacidade, mas isso apresentou à Intel um enigma interessante. Os controladores SSD, principalmente para aplicativos de alto desempenho, exigem uma boa quantidade de DRAM para gerenciar o pool subjacente de NAND. Os controladores SSD normalmente exigem 1 MB de DRAM por GB de NAND, mas os controladores SSD de 18 canais proprietários da Intel só podem gerenciar até 2,5 GB de DRAM. A Intel aloca a DRAM em um arranjo ECC, portanto, o controlador só tem acesso a 2 GB de DRAM e, portanto, a capacidade geral é limitada a 2 TB.
A Intel optou por avançar com sua plataforma existente da Série P em vez de esperar por um controlador mais avançado. A plataforma da Série P apareceu originalmente em 2014, e a plataforma comprovada e madura é amplamente creditada por inaugurar a era NVMe no data center. A série P da Intel trouxe um foco intenso na consistência do desempenho, que é uma bênção para o desempenho de aplicativos do mundo real. O DC P3520 serve como um substituto enquanto a Intel prepara sua plataforma NVMe de próxima geração, mas o custo reduzido dará à empresa uma posição mais competitiva contra seus concorrentes em ascensão.
Especificações
Intel DC P3520 450GB
Intel DC P3520 1.2TB
Intel DC P3520 2TB
A série DC P3520 vem apenas em três capacidades (450 GB, 1,2 e 2 TB), o que é um desvio da tendência da Intel de oferecer uma gama estonteante de pontos de capacidade. Todas as três capacidades vêm nos formatos AIC (Add-In Card) e 2,5″ U.2, e o fluxo de ar recomendado é o único recurso de diferenciação entre os dois formatos. Ambos os formatos empregam o protocolo NVMe 1.0 e se comunicam por meio de um PCIe 3.0 x4, mas os modelos U.2 usam o venerável conector SFF-8687. A Intel originalmente tinha planos de implantar uma variante DC P3320 de alta resistência, mas cancelou o produto por motivos desconhecidos.
A densidade pode ser uma faca de dois gumes; reduz o preço, mas também pode prejudicar o desempenho. A nova NAND 3D da Intel é mais densa que a NAND planar de 20 nm usada no DC P3500 e, portanto, requer menos matrizes para atingir os mesmos 2 TB de capacidade. Os SSDs prosperam no paralelismo, e o número reduzido de matrizes resulta em especificações de desempenho aleatórias mais baixas.
O P3520 realmente dá um passo atrás na frente de desempenho em comparação com o DC P3500 da geração anterior, que apresentava até 430.000/28.000 IOPS de leitura/gravação. O DC P3520 oferece até 375.000/26.000 IOPS de leitura/gravação aleatórias, mas o desempenho varia com a capacidade. O DC P3520 também cai para 1.700/1.350 MB/s de taxa de transferência de leitura/gravação sequencial, que está bem abaixo da taxa de transferência de leitura/gravação de 2.700/1.800 dos modelos de baixa resistência da geração anterior.
Além de maior densidade e menor custo, o 3D NAND também oferece mais resistência devido à sua maior litografia de células. Intel e Micron não divulgam o tamanho real do nó, mas a maioria teoriza que está na faixa de ~ 3Xnm. A resistência aumentada pesa e fornece ao DC P3520 até 2.490 TB de resistência, que é mais que o dobro dos 1.095 TB do DC P3500. O DC P35290 da Intel apresenta um consumo de energia ativo de 12W e 4W ocioso, o que é uma redução significativa em comparação com o consumo de energia ativo de 25W do DC P3500.
Samsung e Intel são os dois maiores fornecedores de SSDs empresariais, e a concorrência entre os dois tem sido acirrada. A Samsung ganhou terreno no data center no ano passado e agora afirma ter a maior fatia do mercado lucrativo. Muito do sucesso da Samsung veio de sua vantagem 3D NAND, mas a Intel está finalmente reagindo com seus próprios produtos 3D NAND. A Intel anunciou o novo DC P3520 e uma nova série de SSDs NVMe DC D3700 e D3600 de porta dupla, que devem ajudá-la a recuperar terreno no segmento de array totalmente flash. Ele também possui uma oferta DC P3320 NVMe de menor resistência que aborda o segmento SATA com preços muito baixos. A Samsung também tem uma linha robusta de SSDs SATA alimentados por 3D que são extremamente populares, mas os novos DC S3520 e S3510 da Intel devem ajudar a estancar o sangramento.
A Samsung também está penetrando no mercado SAS, mas a posição da Intel não está clara agora que a WD/HGST comprou a SanDisk. No passado, a Intel e a HGST desfrutaram de uma parceria colaborativa que gerou vários produtos SAS bem-sucedidos, mas com a inevitável transição HGST para o flash SanDisk, parece que o relacionamento pode terminar com um tom azedo. A Intel/Micron tem o 3D XPoint esperando nos bastidores, mas a Samsung tem seus próprios planos com seus produtos Z-NAND recém-anunciados.
O mundo do armazenamento evolui rapidamente, mas nunca mais do que hoje, agora que o flash mudou para o mainstream. Vamos ver como o último cavalo de batalha da Intel se sai.
