왜 저전압 DDR3에 신경을 쓰나요?
네할렘 아키텍처를 기억하십니까? Intel의 이제 역사적인 CPU 기반 DDR3 메모리 컨트롤러 채택에는 1.65V를 초과하는 전압이 시간이 지남에 따라 집적 회로를 손상시켜 CPU를 효과적으로 죽일 수 있다는 경고가 수반되었습니다. 그 당시 인텔은 45nm에서 프로세서를 제조하고 1.45V 설정을 사용하여 코어 오버클럭을 허용했습니다. AMD는 당시 훨씬 더 높은 DDR3 전압 수준을 추진하고 있었지만 전체 성능 지향적인 DRAM 산업은 결국 Intel의 1.65V 제한을 채택했습니다.
그 이후로 인텔에서 2개의 다이 축소(32nm Sandy Bridge 및 22nm Ivy Bridge)를 보았습니다. 안전한 오버클러킹을 구성하는 요소에 대한 회사의 공식 언급은 없습니다. 가장 안전한 매개변수에 대해 언급하는 대신 해당 담당자는 1.50V, 플러스 또는 마이너스 50mV의 마더보드 제조 지침을 인용하는 경향이 있습니다. 그리고 우리는 그 문서가 우리가 핀 모드를 수행하는 데 도움이 되도록 명시적으로 공개되었다고 생각했습니다…
인텔이 제조 매개변수 이외의 사항에 대해 논의하기를 꺼려하는 것이 문제가 되지 않는다면 아마도 매니아급 마더보드에 적용된 은밀한 과전압이 문제가 될 것입니다. Nehalem 시대에 업계의 더러운 작은 비밀은 제대로 프로그래밍되지 않은 특정(Ed.: Gold 시리즈) 메모리 모듈을 부팅 가능하게 만드는 데 필요한 5~10mV의 기본 부스트였습니다. 이 추가 전압은 대부분의 마더보드 BIOS의 하드웨어 모니터링 페이지에 보고되지 않았으며 대부분의 모니터링 앱도 이를 보고하지 못했습니다.
글쎄, 조금이라도 좋다면 조금 더 있으면 좋겠죠?
인텔이 기능 너비를 대략 절반으로 줄이는 데 분주한 동안 마더보드 제조업체는 오버클러킹 기록을 찾는 데 주력했습니다. 은밀한 전압 조정이 35mV로 올라감에 따라 보드가 그 어느 때보다 높은 1.65V 메모리 오버클럭에 도달하는 것을 보았습니다. 이것을 마더보드 비교에서 부정 행위의 한 형태로 보고, 저는 전압계를 깨고 마더보드 정리의 펌웨어 페이지에서 1.65 실제 볼트에 도달하는 데 필요한 설정을 보고하기 시작했습니다. 그리고 깨는 것에 대해 말하자면, 최근의 일련의 불운은 1.65V의 허용 표준과 특정 마더보드 공급업체의 투명한 과전압을 결합하는 것이 항상 안전한 것은 아닐 수도 있음을 시사합니다. 그것은 우리에게 확실히 특이한 일련의 사건이었지만 인텔의 1.55V 권장 사항을 재고하기에 충분했습니다.
WGUent 사양 Adata XPG DDR3L AXDU1600GC4G9-2G Crucial Ballistix Tactical BLT2K4G3D1608ET3LX0 Geil Evo Leggera GEL38GB1333C9DC G.Skill Sniper SR2 F3-12800CL9D-8GBSR2XML
데이터 속도
타이밍
전압
보증
DDR3-1600(XMP)
9-9-9-24
1.35V
일생
DDR3-1600(XMP)
8-8-8-24
1.35V
일생
DDR3-1333(SPD)
9-9-9-24
1.50V
일생
DDR3-1600(XMP)
9-9-9-24
1.25V
일생
DDR3-1600(XMP)
9-9-9-27
1.35V
일생
DDR3-1600(SPD)
11-11-11-28
1.35V
오년
우리는 모든 주요 제조업체(많은 사람들이 좋아하는 ODM 포함)를 이 라운드업에 초대했으며 일부(해당 ODM 포함)는 참여하지 않기로 결정했습니다. 포함하기로 선택한 것 중 하나는 DDR3L 등급으로 제공할 것이 없었습니다. Geil은 우리의 1.35V 및 1.50V 명시된 테스트 설정에 “표준 RAM에서 할 수 있습니다”라고 진심으로 응답했으며 이제 회사는 이를 증명할 기회를 얻고 있습니다.
