Il nostro verdetto
Con un design robusto e importanti miglioramenti a nCache 4.0, Black SN850 di WD è tra le unità più reattive che abbiamo visto. Se stai cercando le migliori prestazioni in assoluto, scegliamo il WD Black SN850 da 2 TB rispetto al Samsung 980 Pro da 2 TB.
Per
+ Performance competitiva
+ Grande cache SLC dinamica a ripristino rapido
+ Design accattivante
+ Pacchetto software
+ 5 anni di garanzia
Contro
– Può surriscaldarsi sotto carico pesante
– Elevato consumo energetico inattivo sui desktop
– Manca la crittografia hardware AES a 256 bit
Aggiornamento del 1 aprile 2021: abbiamo aggiornato questo articolo con nuovi test per l’SSD WD Black SN850 M.2 NVMe da 2 TB a pagina 2.
Recensione originale pubblicata l’11 dicembre 2020:
WD BLACK SN850 1TB (WD) al Best Buy per $ 159,99
Vantando prestazioni PCIe Gen4 all’avanguardia e disponibile con capacità fino a 2 TB, Black SN850 di WD è una bestia di SSD che rivaleggia con il 980 PRO di Samsung per il miglior SSD. Se hai i soldi, è un’ottima scelta per i giocatori e gli appassionati che cercano uno spazio di archiviazione di alto livello e di qualità.
La linea di prodotti Black di WD si è adattata parecchio nel corso degli anni. Quando si trattava della linea di HDD meccanici dell’azienda, Black significava tradizionalmente prestazioni e affidabilità senza compromessi. Tuttavia, quando si tratta di SSD dell’azienda, la linea di prodotti Black di WD enfatizza soprattutto i giochi. Tuttavia, ciò non significa che l’azienda si sia dimenticata di coloro che necessitano di uno spazio di archiviazione prosumer coerente per le loro applicazioni.
L’ultimo WD Black SN750 era una centrale di scrittura dati, con una velocità di scrittura sostenuta che poteva rendere geloso quasi tutti gli altri SSD, rendendolo perfetto per gli editor video e per coloro che spostano spesso grandi set di dati. Ma le sue prestazioni di lettura sono rimaste indietro rispetto alla maggior parte della concorrenza nella maggior parte dei nostri benchmark applicativi. Il nuovo WD Black SN850 mira a mostrare risultati molto migliori questa volta, con gran parte dell’attenzione dell’azienda sull’ottimizzazione della velocità di lettura del nuovo SSD e sul miglioramento della sua già elevata velocità di scrittura.
Specifiche
ProdottoNero SN850 500GBNero SN850 1TBNero SN850 2TB
Prezzo
$ 149,99
$ 229,99
$ 449,99
Capacità (Utente / Raw)
500 GB/512 GB
1000 GB/1024 GB
2000 GB/2048 GB
Fattore di forma
M.2 2280
M.2 2280
M.2 2280
Interfaccia/protocollo
PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
Controllore
WD_NERO G2
WD_NERO G2
WD_NERO G2
DRAM
DDR4
DDR4
DDR4
Memoria
BiCS4 96L TLC
BiCS4 96L TLC
BiCS4 96L TLC
Lettura sequenziale
7.000 MBps
7.000 MBps
7.000 MBps
Scrittura sequenziale
4.100 Mbps
5.300 Mbps
5.100 Mbps
Lettura casuale
800.000 IOPS
1.000.000 di IOPS
1.000.000 di IOPS
Scrittura casuale
570.000 IOPS
720.000 IOPS
710.000 IOPS
Resistenza (TBW)
300 TB
600 TB
1.200 TB
Numero di parte
WDS500G1X0E
WDS100T1X0E
WDS200T1X0E
Garanzia
5 anni
5 anni
5 anni
Con prestazioni sequenziali di picco fino a 7/5,3 GBps di throughput di lettura/scrittura sequenziale e oltre 1.000.000/720.000 IOPS di lettura/scrittura casuali, WD Black SN850 offre prestazioni di alto livello sull’interfaccia PCIe 4.0 x4 NVMe 1.4. Black SN850 di WD è disponibile con capacità di 500 GB, 1 TB e 2 TB con un prezzo stradale di $ 150, $ 230 e $ 450, per rispettiva capacità. Se vuoi il modello con un dissipatore di calore, costerà $ 20 in più.
Black SN850 di WD presenta un’implementazione di memorizzazione nella cache SLC rinnovata, nCache 4.0. Ora viene fornito con una cache SLC ibrida simile a TurboWrite di Samsung ma con una capacità maggiore, proprio come siamo abituati con gli SSD alimentati dagli ultimi controller Phison. La capacità SLC dinamica totale copre circa un terzo della capacità disponibile (300 GB sul nostro campione da 1 TB) con una cache SLC statica piccola e rapida da recuperare (12 GB sul nostro campione da 1 TB) progettata per fornire il massimo delle prestazioni e della resistenza.
Con un motore ECC LDPC (Low-Density Parity-Check) multi-gear, protezione di tipo RAID per il ripristino completo di più pagine, ECC SRAM interna e protezione del percorso dei dati end-to-end nel suo schema ECC, insieme all’over- fornendo l’SSD del 9%, Black SN850 di WD è dotato di numerosi meccanismi per garantire che i tuoi dati siano al sicuro sulla flash. WD supporta il Black SN850 con una garanzia di cinque anni e lo valuta per resistere fino a 300 TB di scritture per 500 GB di capacità o fino a 1,2 PB di scritture sul modello da 2 TB.
Siamo stati in grado di cancellare in modo rapido e sicuro il Black SN850 di WD avviando una cancellazione sicura dall’UEFI della nostra scheda madre Asus X570 Crosshair VIII Hero (WiFi). Ma, sebbene supporti la cancellazione sicura, l’SSD manca di una caratteristica di sicurezza ormai comune che Samsung supporta da anni sulle sue unità: la crittografia completa dell’unità AES a 256 bit con accelerazione hardware. Black SN850 supporta sia il report dei dati Trim che SMART, nonché Active State Power Management (ASPM), Autonomous Power State Transition (APST) e lo stato di alimentazione PCIe L1.2 per un basso consumo energetico in idle su piattaforme mobili, disegnando solo <5mW.
Software e accessori
WD supporta il Black SN850 con WD Dashboard, il toolbox SSD dell’azienda che include strumenti di analisi, un aggiornamento del firmware e il controllo dell’illuminazione RGB sul modello di dissipatore di calore. WD fornisce inoltre ai clienti Acronis True Image WD Edition per la clonazione e il backup dei dati.
Uno sguardo più da vicino
WD è a bocca aperta quando si tratta di rivelare informazioni sull’hardware che alimenta il Black SN850 e non ha divulgato molti dettagli sul suo controller di nuova generazione quando è stato interrogato. Tuttavia, potremmo dedurre alcune cose in base agli avanzi e alle briciole che ci hanno dato.
Dalla nostra analisi esterna, possiamo vedere che l’unità è disponibile in un fattore di forma M.2 2280 a lato singolo con un controller flash NVMe, un chip DRAM e solo due pacchetti flash a causa delle grandi dimensioni del pacchetto del controller, che misura 17 x 17 mm, occupando la maggior parte dello spazio PCB.
Per alimentare l’SSD, WD utilizza un controller SSD NVMe PCIe 4.0 x4 NVMe multi-core proprietario basato su Arm che sfrutta un chip DRAM DDR4 Micron per offrire prestazioni reattive. WD fa riferimento al controller come suo WD_BLACK G2. Equipaggiare il WD Black SN850 con un PHY Gen4 più veloce è ottimo per le prestazioni, ma con una larghezza di banda così veloce, l’assorbimento di potenza e l’emissione di calore erano un problema a 28 nm. Pertanto, come i controller di produttori concorrenti, WD ha scelto di costruire WD_BLACK G2 su un nodo di processo più recente per controllare meglio quelle variabili con la tecnologia FinFET a 16 nm di TSMC.
WD ha accoppiato il controller di seconda generazione con la più recente flash TLC Kioxia BiCS4 96L dell’azienda che opera a velocità Toggle DDR3.0 di 800 MTps. Entrambi i modelli da 500 GB e 1 TB sfruttano die da 256 Gb mentre il modello da 2 TB sfrutta die da 512 Gb. Questo flash ha due piani (regioni di accesso indipendente) per prestazioni migliori rispetto a un solo piano, ma non è così veloce come il flash BiCS5 112L quad-plane di prossima generazione dell’azienda che vedremo diventare più diffuso l’anno prossimo. Il nuovo flash ha il doppio delle prestazioni insieme a un’implementazione di Circuit Under Array (CUA).
A differenza di BiCS3, il flash BiCS4 non è solo più veloce grazie a uno schema di controllo del bias di avvio basato su stringhe e al tracciamento Vt intelligente per letture migliori, ma ha il vantaggio di una maggiore efficienza rispetto al suo predecessore con un amplificatore di rilevamento a bassa precarica schema bus e consuma solo 1,2 V invece di 1,8 V. Black SN850 di WD sfrutta la decodifica di righe pari dispari e il rilevamento della corrente BL schermato con questo flash per migliorare anche il throughput di lettura.
Per scalare il flash a nuove vette, il processo di produzione include l’impilaggio di due stringhe di 48 strati di linee di parole uno sopra l’altro. Sebbene questo sia un modo semplice per aumentare le dimensioni dell’array di celle, le inefficienze derivano da circuiti aggiuntivi e strati fittizi sprecati. Allo stesso tempo, c’è il rischio di un basso rendimento a causa di disallineamenti dello stack. Ridimensionare fino a 96 livelli di wordline significa utilizzare un totale di 109 livelli, inclusi gate e selettori fittizi in questo caso, che è meno efficiente della V-NAND di Samsung, che deve ancora sfruttare l’impilamento delle stringhe fino a 128 livelli di worldline (136 in totale strati).
