Pourquoi s’embêter avec la DDR3 basse tension ?
Vous vous souvenez de l’architecture Nehalem ? L’adoption désormais historique par Intel d’un contrôleur de mémoire DDR3 basé sur le processeur s’accompagnait d’un avertissement indiquant que des tensions supérieures à 1,65 V pouvaient faire frire les circuits intégrés au fil du temps, tuant ainsi le processeur. À cette époque, Intel fabriquait ses processeurs à 45 nm et tolérait les overclocks de base en utilisant des paramètres de 1,45 V. AMD poussait des niveaux de tension DDR3 beaucoup plus élevés à l’époque, mais l’ensemble de l’industrie DRAM axée sur les performances a finalement adopté la limite de 1,65 V d’Intel.
Depuis, nous avons vu deux rétrécissements de matrice d’Intel – le Sandy Bridge 32 nm et le Ivy Bridge à 22 nm – sans aucun mot officiel de la société sur ce qui constitue un overclocking sûr. Au lieu de commenter les paramètres auxquels vous êtes le plus sûr, ses représentants ont tendance à citer les directives de fabrication de la carte mère de 1,50 V, plus ou moins 50 mV. Et nous pensions que ces documents avaient été rendus publics expressément pour nous aider à effectuer des pin-mods…
Si la réticence d’Intel à discuter de quoi que ce soit en dehors des paramètres de fabrication ne vous inquiète pas, peut-être que la surtension secrète appliquée aux cartes mères de classe passionné devrait le faire. Le sale petit secret de l’industrie à l’époque de Nehalem était un boost par défaut de 5 à 10 mV, nécessaire pour rendre amorçables certains modules de mémoire mal programmés (Ed.: Gold-series). Cette tension supplémentaire n’a pas été signalée sur les pages de surveillance du matériel de la plupart des BIOS de carte mère, et la plupart des applications de surveillance ne l’ont pas non plus signalée.
Eh bien, si un peu c’est bien, un peu plus c’est mieux, n’est-ce pas ?
Alors qu’Intel était occupé à réduire la largeur de ses fonctionnalités d’environ la moitié, les fabricants de cartes mères étaient à la recherche de records d’overclocking. J’ai vu les cartes atteindre des overclocks de mémoire de 1,65 V toujours plus élevés alors que le réglage de la tension secrète grimpait à 35 mV. Considérant cela comme une forme de tricherie dans nos comparaisons de cartes mères, j’ai sorti le voltmètre et j’ai commencé à signaler le réglage nécessaire pour atteindre 1,65 volts réels dans les pages du micrologiciel de nos rafles de cartes mères. Et en parlant de casser des choses, une récente série de malchance suggère que la combinaison de la norme acceptée de 1,65 V et de la surtension transparente de certains fournisseurs de cartes mères pourrait ne pas toujours être sûre. Bien que ce fut certainement une chaîne d’événements inhabituels pour nous, il nous suffisait de reconsidérer la recommandation 1,55 V d’Intel.
Spécifications nominales Adata XPG DDR3L AXDU1600GC4G9-2G Crucial Ballistix Tactical BLT2K4G3D1608ET3LX0 Geil Evo Leggera GEL38GB1333C9DC G.Skill Sniper SR2 F3-12800CL9D-8GBSR2 Kingston HyperX KHX1600C9D3LK2/8GX Super Talent W160UA4GML
Débit de données
Horaires
Tension
garantie
DDR3-1600 (XMP)
9-9-9-24
1,35V
Durée de vie
DDR3-1600 (XMP)
8-8-8-24
1,35V
Durée de vie
DDR3-1333 (SPD)
9-9-9-24
1,50 V
Durée de vie
DDR3-1600 (XMP)
9-9-9-24
1,25 V
Durée de vie
DDR3-1600 (XMP)
9-9-9-27
1,35V
Durée de vie
DDR3-1600 (SPD)
11-11-11-28
1,35V
Cinq ans
Nous avons invité tous les principaux fabricants (y compris un ODM favori de la foule) à ce tour d’horizon, et quelques-uns (y compris cet ODM) ont choisi de ne pas participer. Parmi ceux qui ont choisi d’être inclus, un n’avait rien à offrir avec une note DDR3L. Geil a répondu à nos paramètres de test déclarés de 1,35 V et 1,50 V par un chaleureux « nous pouvons le faire sur une RAM standard », et la société a maintenant l’occasion de le prouver.
